天眼查显示，华羿微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片”的专利，授权公告号为CN118117857B，授权公告日为2024年8月9日，申请日为2024年4月30日。
本发明公开一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片，该电路包括：驱动电阻串联在驱动正极与控制端之间，驱动正极用于与半桥驱动芯片的输出正极连接，驱动负极用于与MOS或IGBT的源极、以及半桥驱动芯片的输出负极连接，控制端用于与MOS或IGBT的栅极连接；驱动检测触发电路内设置有基准电压，用于在驱动正极的输入电压低于基准电压时，控制米勒反冲抑制钳位电路工作；米勒反冲抑制钳位电路为三极管钳位电路，并联在MOS或IGBT的栅极与源极的两端，用于在工作时吸收MOS或IGBT产生的米勒电容位移电流，并将MOS或IGBT的栅极电压钳位至0V；本发明广泛应用于各类半桥式或相近拓扑结构的电源、电机驱动等领域，有效解决因米勒电容而引发的上下桥误导通问题。
