据天眼查显示，无锡华润上华科技有限公司“具有隔离结构的半导体器件及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118472028A。
本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，包括：衬底，具有第二导电类型；第一导电埋层，具有第一导电类型，位于所述衬底中；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方；第二极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方、所述第一极掺杂区的两侧；隔离结构，包括位于隔离槽侧壁的绝缘层，所述隔离槽从所述第二极掺杂区向下延伸至所述第一导电埋层，所述隔离槽中还设有与所述第一导电埋层电性连接的导电结构。本发明在第二极掺杂区的位置设置向下延伸至第一导电埋层的隔离槽，复用了第二极掺杂区的芯片区域，因此芯片的面积利用率较高。
