业界传出，晶圆代工龙头台积电首台ASML High NA EUV光刻系统设备传本月将进厂，持续领先三星晶圆代工的交机进度，由于该款逾4亿欧元设备且因光镜头镜片无法分拆入厂，高度比一间会议室还高且长度也远超前一代设备，因规格特殊且精密，恐须机场或港口联通的高速公路交管或特定深夜运送入厂避免交通不顺。
对于业界传闻，ASML今日提到不评论单一客户。台积电9日傍晚回应也提到不回应市场传闻。
不过，业界盛传，台积电首台ASML High NA EUV传本月将进机，预计移入台积电全球研发中心，用于研发用途，进而应对后续先进制程开发需求。
ASML已获得所有EUV客户下单下一代High NA EUV，回顾ASML High NA EUV产品管理副总裁Greet Storms上周五受访提到，“ASML持续推进新的技术并获得每个EUV客户在研发阶段青睐，这些也都是我们high NA客户，也都有下单给我们，2026年希望是往量产方向推进”，不过仍看客户制程成本等总体考虑。
ASML先前曾证实，今年底前将向台积电交付最新的High-NA EUV。
ASML先前强调High NA EUV光刻系统已于去年底开始陆续出货，产能预计每小时可曝光超过185片晶圆，将支持2nm以下逻辑芯片及具有相似电晶体密度的存储芯片量产。
ASML强调，在先进制程芯片制造中导入EUV 技术可简化制程工序、减少光罩数量，达到产能和良率提升，进而降低生产每片晶圆的用电量。ASML预估，若在先进制程中导入包括EUV 和High NA EUV光刻系统，到2029年，使用ASML光刻技术生产每一片晶圆使用的100度电，将为整体制程节省200度电。
