据报道，三星电子正在考虑修改其目前正在建设的晶圆代工厂项目的时间表和计划。韩国平泽四厂（P4）可能会取消其计划中的代工生产线，而美国得州泰勒代工厂的设备投资可能会再推迟约一个季度。
三星全球的晶圆代工厂的投资和建设计划可能面临比原先预期更多的延迟。主要原因是三星担心其最先进的工艺技术可能无法在“赢家通吃”的市场上与台积电竞争，从而难以获得核心客户的订单。因此，该公司正在修改相关计划，推迟晶圆代工厂的建设和设备的引进。
目前，三星在建的晶圆代工生产基地主要有两处：韩国P4厂和美国得州泰勒厂。这两处工厂原本是为处理最先进制程节点的量产而建，包括4nm、3nm，甚至2nm。
平泽P4厂于2022年开始建设，最初设计为复合式建筑，与平泽三厂（P3）相同。按照具体建设顺序，一期为NAND Flash产线；二期为晶圆代工产线，三、四期为DRAM产线。
然而，由于市场行情一再变化，三星被迫不断修改P4的建设顺序，优先建设NAND、DRAM等存储器产线。近期有传言称，三星内部已经开始讨论将晶圆代工产线转为DRAM产线的计划。
业内人士称，平泽P4代工厂转产先进DRAM和高带宽存储器（HBM）生产线几乎是板上钉钉的事，因为三星无法获得大客户订单，早期投资风险太大。
美国的泰勒代工厂也出现了类似的情况。作为第一阶段，三星最初计划泰勒代工厂在2024年底前量产4nm芯片。然而，有报道称三星大幅削减了投资，2023年下半年的设备订单仅覆盖每月5000片晶圆的产能，实际上是一条试验生产线。
报道称，泰勒代工厂的全面量产可能会推迟到2026年，计划投资2nm，而不是4nm。三星打算在2025年第一季度建造洁净室，并在第二季度前安装必要的设备。然而，最近的报道表明，三星对泰勒代工厂的投资计划可能会再推迟一个季度。（校对/张杰）
