天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“一种刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118610121A。
本说明书实施例提供了一种刻蚀方法，该方法通过沉积步在待刻蚀膜层结构表面形成保护膜，该保护膜可填充开口侧壁的损伤部分，以提高开口侧壁的平整度；此外，随着开口刻蚀深度的增加，通过交替进行刻蚀步和沉积步进行开口的刻蚀会出现开口陡直度降低的问题；因此，在交替进行多次刻蚀步和沉积步后，利用使用更高刻蚀速率的工艺气体的修饰步对开口的侧壁进行修饰，去除侧壁中突出部分，并扩宽开口底部宽度，以实现提高开口侧壁的陡直度的目的，从而在实现高深宽比的开口侧壁的刻蚀的基础上，实现了提高开口侧壁的表面平整度和开口整体的陡直度的目的。
