随着AI浪潮的兴起以及芯片巨头们的加速布局，HBM的重要性愈发凸显，而作为HBM制造的关键设备之一，TC键合机近年来也受到广泛关注。
近日，据韩国媒体报道，SK海力士向知名封测设备厂商ASMPT订购30多台TC键合设备，用于生产其最新一代高带宽内存芯片——12层HBM3E。
在HBM的生产中，因涉及多个DRAM芯片的垂直堆叠，TC键合机的作用至关重要。为解决变薄的芯片堆栈更多时产生的结构性问题，SK海力士采用MR-MUF（批量回流底部模制填充）封装技术来黏合HBM内存，该技术具有低压、低温键合和批量热处理的优势，并能够增强控制翘曲等问题。
韩国媒体报道援引消息人士的信息称，在测试过程中，SK海力士发现ASMPT的设备性能优于韩国半导体设备商韩美半导体（Hanmi Semiconductors）的产品。上个月，韩美半导体表示已组建了一支40人团队，专门为SK海力士提供售后服务，有分析指出这可能是由于其设备性能不佳所致。
目前HBM领域主要的TC键合设备生产商包括日本的新川半导体、新加坡的ASMPT、韩美半导体、韩华精密机械（Hanwha Precision Machinery）以及荷兰的Besi等。随着TC键合设备市场需求的迅速快速增长，带来了广阔的市场空间和发展机遇，同时，多元化的供应商格局也使得竞争较为激烈，这将促使设备厂商不断提升产品质量和服务水平，以提高市场竞争力。
据了解，在ASMPT和韩华精密机械等竞争对手进入市场之前，韩美半导体一直是SK海力士TC键合设备的主要供应商。此前有消息称韩华精密机械也向SK海力士提交了自己的设备进行测试，但尚未通过。
作为新一代高带宽内存芯片，不少大厂已经或计划在其旗舰GPU、AI加速器上搭载，包括英伟达的Blackwell以及AMD的MI325和MI350。根据TrendForce的预计，2025年HBM3E将占HBM位需求的80%，其中一半将来自12层堆叠的HBM。上周，SK海力士宣布已率先成功量产12层HBM3E。三星也已向英伟达提供了其12层HBM样品，但目前尚未通过测试。
今年6月，ASMPT宣布同美光合作，除供货TC键合设备外，双方还将携手开发下一代键合技术，以支持HBM4的生产。而此次收获来自SK海力士的大单，也进一步体现出ASMPT在TC键合设备上的竞争优势以及在半导体后端制造设备领域的领先地位。
