华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布

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天眼查显示,华虹半导体(无锡)有限公司“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布,申请公布日为2024年10月11日,申请公布号为CN118762996A。

本发明提供一种低压超结MOSFET的工艺方法,在第一导电类型的衬底上外延形成第一导电类型的外延层;利用离子注入的方法在外延层表面形成第二导电类型的体区,之后对体区进行热扩散推进;在体区上形成硬掩膜层和光刻胶层;光刻打开光刻胶层以定义出栅沟槽的形成位置,之后利用各向异性刻蚀的方法在硬掩膜层上形成开口至外延层上,以硬掩膜层为掩膜刻蚀开口底部的外延层以形成第一栅沟槽,第一栅沟槽从外延层的上表面向下延伸穿过体区;沿第一栅沟槽延伸方向的垂直方向回推刻蚀外延层形成第二栅沟槽,从而使得第二栅沟槽缩进硬掩膜层之内;在栅沟槽表面形成离子注入保护层。本发明可以避免在柱体区注入时体区和柱体区在沟道区连接在一起。


责编: 赵碧莹
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