1.又一头部投资机构落地光谷！高端制造三期基金签约；
2.得瑞领新：精耕细作企业级SSD，助力中国存储行业高质量发展；
3.晶通半导体：650V氮化镓肖特基二极管已量产 以研发创新构筑护城河；
4.长江睿芯：全部IP正向开发，多维度进行国产替代；
5.云天半导体：创新突破技术桎梏，多款IPD无源集成器件实现规模交付；
1.又一头部投资机构落地光谷！高端制造三期基金签约；
11月28日，国内领先的高端制造业投资机构——丰年资本中部地区办公室启动，正式落地光谷，丰年高端制造三期基金签约。
丰年资本成立于2014年，是国内最早体系化研究并专注于投资高端制造业的机构之一，目前基金管理规模近40亿元，已在湖北省内投资多家企业，高端制造一期、二期基金投资管理中，产生达梦数据、博亚精工等上市企业，并牵引博亚精工、西测测试等企业落户光谷。
丰年资本中部地区办公室位于武汉都市圈资本市场服务基地，此次高端制造三期基金将重点投资国内龙头地位突出、产业及技术成熟、市场需求明确、行业持续增长，并进入拐点期、估值合理的高端制造企业。
丰年资本合伙人赵丰表示：“光谷有良好的产业生态环境，孕育了众多高新技术企业。我们将继续服务中部创新链，重点投资光谷高端制造企业，帮助科技企业突破天花板，产生更大战略竞争力和价值增量，让优质企业长成参天大树。”
会上，武创院丰年经营管理赋能创新中心揭牌，将引入丰年资本产业赋能体系HMS与管理赋能能力，派驻专业团队到科技企业管理一线，帮助企业提高管理水平，把投资能力、招引能力与投后管理能力落到实处。
武汉产业创新发展研究院院长助理王慧中说：“丰年资本具有成功的实业经验和投资经验。武创院期待与丰年资本合作，通过提升企业管理能力和创新效能，助力企业实现技术突破性发展，搭建完整的硬科技成果转化服务赋能体系。”
股权投融资是“资金链”上的重要一环。目前，东湖高新区有备案基金337支，基金认缴总规模2518亿元，近5年来，区内企业获得融资总额超1600亿元。
相关负责人表示，丰年模式对企业从单一的“财务支持”转向“财务+经营管理+资源链接”等的多元支持，助力优质科创企业发展壮大，迸发出强劲发展动能。未来将广泛对接投资机构，为科技企业提供更适合的综合赋能解决方案。
2.得瑞领新：精耕细作企业级SSD，助力中国存储行业高质量发展；
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】北京得瑞领新科技有限公司（以下简称：DERA）
【候选奖项】年度市场突破奖
作为我国企业级SSD研发和创新先行者，北京得瑞领新科技有限公司成立于2015年，总部位于北京，在上海、武汉、深圳分别设有研发中心和客户技术支持中心。
通过不断探索发展，DERA紧跟市场需求和技术趋势，不断创新存储产品及解决方案的研发生产，打造从存储控制器设计和封测、模组设计和量产，以及营销和服务能力，为企业数据中心、云计算平台、高性能计算等领域提供安全可靠的全系列高性能存储产品——目前，DERA推出的D7000系列产品，凭借其卓越的性能和稳定性，在企业级市场中获得广泛认可，应用于数据中心、云计算与虚拟化、大数据分析、人工智能与机器学习、企业IT基础架构等场景。
此次，DERA推出高性能企业级产品D7436/ D7456 NVMe SSD竞逐本届IC风云榜“年度市场突破奖”。
该产品使用PCIe 4.0接口，全面支持NVMe 2.0协议。先进的YMTC 3D TLC NAND高速闪存的应用为产品提供了高吞吐量和IOPS、低延迟以及良好的QoS特性。D7436/ D7456 SSD拥有高效的固件架构，优化了产品性能和寿命，并且提供最高达7.68TB的多种容量选择。LDPC单元和端到端数据保护增强了产品可靠性。DERA D7436/ D7456 NVMe SSD兼容主流操作系统和虚拟化环境；性能满足数据库和虚拟化应用要求。
在创新性上，D7436/ D7456 NVMe SSD具备以下优势：
控制芯片与软硬件协同设计。DERA D7436/ D7456 NVMe SSD采用DERA自研的第三代ASIC核心控制芯片，立足于企业级数据完整性保障、闪存管理和性能聚合等核心技术，集成了大量专用计算加速单元。搭配先进的YMTC 3D TLC闪存器件，在控制芯片及软硬件的协同设计下，D7436/ D7456实现了高可靠、高性能的数据存储功能。
企业级数据安全保障。DERA D7436/ D7456 NVMe SSD实现高强度的LDPC硬件纠错、完整数据通道的端到端保护、自适应动态RAID保护、意外掉电检测及处理等技术的有机结合，支持AES256和国密SM2/ 3/ 4，为用户提供全方位的数据安全保障。D7436/ D7456 NVMe SSD 在运行过程中实时监测设备健康状态并及时作出相应处理，上层管理软件可监控设备状态并对潜在故障进行准确预测和处置。
高性能、低延迟、性能平稳。DERA D7436/ D7456 NVMe SSD具备高性能，低延迟和性能平稳等优势。稳态随机写最高可达520K IOPS，随机读/ 写延迟低至75/ 13us，为用户的数据中心业务提供了高处理速度，低延迟的使用体验。同时，固件管理算法针对不同类型的I/O请求进行智能调度和控制，确保在高压力下的极端情况和多变的工作负载下，设备性能始终表现平稳。D7436/ D7456 NVMe SSD在请求队列欠载和饱和条件下，随机读写性能均能保持90%以上的一致性。
经测试，PCIe 4.0主控芯片EMEI在性能方面已经实现国际超越，大部分指标明显优于国际一线大厂，在国内互联网、运营商、金融、服务器整机厂商等所有主流行业中均获得显著突破。
强大的市场竞争力来自“日拱一卒”的技术布局——数据显示，DERA自成立以来累计研发投入超10亿元，持续推动技术突破和产品升级；拥有超百项发明专利，涵盖SSD设备组件、芯片、系统、数据平台等多领域，形成了坚实的技术基础和储备。迄今为止，成功研发出TAI、MENG、EMEI三代主控芯片！
得瑞领新CAO/CFO王嵩曾公开表示：“未来得瑞领新将继续在企业级存储领域深耕细作，致力于加速企业级存储的国产化进程，助力中国存储行业的高质量发展。”
凭借优异的市场表现和技术实力，DERA获得国家高新技术企业、中关村高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业、北京市专精特新“小巨人”企业、北京市“专精特新”中小企业、国产企业级SSD主控芯片获评国内首创产品、北京市企业技术中心等荣誉。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度市场突破奖】
该奖项旨在表彰2024年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长；
2、产品具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权。
【评选标准】
技术或产品的主要性能和指标（30%）；
产品的销量及市场占有率（40%）；
企业营收情况（30%）。
3.晶通半导体：650V氮化镓肖特基二极管已量产 以研发创新构筑护城河；
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】晶通半导体（深圳）有限公司（以下简称：晶通半导体）
【候选奖项】年度技术突破奖、年度优秀产品创新奖
【候选产品】Flash-SBD® 氮化镓肖特基二极管
随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。据行业预测，到2030年，氮化镓市场规模有望达到数十亿美元。这一预测背后，是氮化镓技术在多个领域的广泛应用和巨大潜力。
在消费电子领域，氮化镓充电器以其高效、轻便、安全等优势，逐渐成为市场主流。随着智能手机、笔记本电脑等电子产品的快速普及和更新换代，氮化镓充电器的市场需求将持续增长。同时，氮化镓技术还被广泛应用于电动汽车充电桩、数据中心电源等领域，为这些行业的快速发展提供了强有力的支撑。
面对氮化镓技术的广阔市场前景，国际芯片巨头纷纷加大布局力度。英飞凌、德州仪器等企业在氮化镓技术上的不断投入和突破，推动了整个产业链的快速发展。与此同时，中国厂商如晶通半导体等也在积极追赶，不断提升自身在氮化镓领域的竞争力。
晶通半导体成立于2020年，是一家专注于氮化镓功率器件、氮化镓集成驱动芯片和氮化镓肖特基二极管的研发、生产及销售的科技型企业，已获国家高新技术企业、专精特新中小企业资质认定，也是国内少数能提供氮化镓功率器件和驱动芯片共同优化及设计集成方案的功率半导体设计公司。
晶通半导体核心团队来自英飞凌、意法半导体、PI及Cree等一线半导体原厂，具有极为丰富的研发和产业能力，为消费电子、白色家电、工业电源、光伏储能等应用市场带来高能源效率、高可靠性、高集成性价比的全方位产品解决方案。
近期，晶通半导体于国际首创650V氮化镓肖特基二极管，降低反向导通压降，提升芯片电能转换效率，全球首次达到商用化应用标准的氮化镓肖特基二极管原型器件，相较碳化硅竞品，成本低30%，开关比高100倍，开关损耗降低80%。
该产品在衬底接地时击穿电压高达1200V，650V反向偏置时漏电流仅为5nA/mm，且开启电压仅为0.6V，远超各国现有的技术水准，甚至远远超过现有的碳化硅肖特基二极管。该产品已在客户端完成工程样品验证，在300W/500W/800W平台测试效率符合客户要求。
伴随着公司技术的不断突破，晶通半导体也获得投资者的认可和资本市场的青睐。其股东包括矽力杰、中芯聚源、GRC富华资本、赛富投资基金等著名企业及投资机构。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度优秀创新产品奖】
旨在表彰补短板、填空白或实现国产替代，对于我国半导体产业链自立自强发展具有重要意义的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，近一年内实现新产品的研发及产业化；
2、产品的技术创新性强，具有自主知识产权，产生一定效益，促进完善供应链自立自强；
【评选标准】
技术或产品的主要性能和指标；（30%）
技术的创新性；（40%）
产品销量情况；（30%）
【年度市场突破奖】
旨在表彰2024年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长；
2、产品具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权；
【评选标准】
技术或产品的主要性能和指标；（30%）
产品的销量及市场占有率；（40%）
企业营收情况；（30%）
4.长江睿芯：全部IP正向开发，多维度进行国产替代；
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】苏州长江睿芯电子科技有限公司（以下简称：长江睿芯）
【候选奖项】年度最具成长潜力奖
苏州长江睿芯电子科技有限公司成立于2018年，是一家专业的芯片设计公司，目前在深圳与台湾地区均设有办事处，由多位集成电路各领域制造/设计）资深的技术和运营人士共同创建，并与产业链上下游主要生产厂商和服务机构紧密合作。
该公司自研AI MCU和DSP芯片，可交付完整的光储充系统解决方案（微逆、组串、PCS、充电桩）。同时，长江睿芯可提供IC Turnkey解决方案，从SpecIN到GDS芯片交付，包括：芯片架构规划、IP选型、前端设计、DFT、验证、物理设计、版图、流片、封装和测试服务等一站式服务。
基于自有DSP硬核＋RISC-V的芯片架构，全部IP正向开发，长江睿芯推出AI MCU系列芯片：RV32D515、RV32D2039、RV32D2377三个系列，可完美替代C2000全系列芯片，不仅解决国产化DSP的问题，而且通过整个芯片系列不断更新迭代，从多个维度与行业竞品形成差异化优势。
据悉，长江睿芯AI MCU系列DSP芯片不仅在光伏和新能源储能领域可以大量应用，在伺服电机、电动汽车、电梯、机器人等领域都能广泛应用。同时针对行业客户可提供包含芯片、原理图、PCB、Layout、Born等技术资料。
此次，长江睿芯将竞逐“IC风云榜”年度最具成长潜力奖，成为候选企业。
长江睿芯凭借其正向设计和完全的自主知识产权优势，成为苏州高科技的领军企业。该公司采用市场应用成熟、生态丰富的RISC-V架构，搭配自研光储充解决方案，可实现产品级出货低功耗，同时支持休眠和待机两种低功耗模式。在性能上，长江睿芯的高精度表现卓越，三角函数角度精度指标达到千万分之一。依托后发优势，长江睿芯的创新实力不断升级迭代，推动国产替代高性能发展，为客户提供从IP到封装设计的一站式解决方案。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度最具成长潜力奖】
面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。
【报名条件】
1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；
2、2024年主营业务收入为500万元～1亿元的创业企业。
【评选标准】
1、评委会由“半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”。
5.云天半导体：创新突破技术桎梏，多款IPD无源集成器件实现规模交付；
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】厦门云天半导体科技有限公司（以下简称：云天半导体）
【候选奖项】年度技术突破奖
厦门云天半导体科技有限公司成立于2018年7月，致力于面向新兴半导体产业的先进封装与微系统集成，通过自主研发与持续创新，为客户提供产品协同设计、工艺研发和批量生产的全流程解决方案和服务。
云天半导体总人数近600人，厂区面积近四万平方米，设百级、千级无尘车间，共400余台套全尺寸晶圆级先进封装设备。主营业务包括：晶圆级三维封装（WLP）、晶圆级扇出型封装（WLFO）、系统级封装（SiP）、IPD无源器件制造、高密度玻璃通孔技术（TGV）和2.5D中介层转接板（2.5D interposer）等，已经为国内外百余家客户提供了设计、封装和集成服务。
云天具有卓越创新能力的核心团队，具备从4到12英寸全系列晶圆级系统封装和精密制造能力，是国内第一家能够全面提供射频器件晶圆级封装解决方案的高技术企业。
云天半导体推出的IPD无源集成器件采用玻璃绝缘体衬底技术和射频应用相结合，突破了原来的射频IPD无源集成器件制造技术，实现更高射频性能，在材料性能、集成度、成本等方面都有竞争力。利用三维玻璃通孔互连技术，构建了衬底正反双面布线，对器件的设计有更大发挥空间，借助于特色激光加工工艺，每秒可完成3000个以上的通孔制作。云天半导体率先建立TGV晶圆单面和双面电镀铜完全填充工艺，采用低成本光刻+电镀技术，可实现TGV孔填充和RDL金属一次成型。基于多层厚铜技术，前述工艺可以广泛地应用于3D互连，且在IPD器件上实现高Q值（超过60@1GHz），从而使器件达到最佳插损表现。该技术可为快速发展的射频应用提供3D集成封装技术解决方案。
IPD无源集成器件以其高度定制化和先进技术而著称。云天半导体可以提供100-300um的芯片成品厚度选择，满足不同应用需求。芯片正反双面支持≥5层金属布线，增强了设计灵活性。三维玻璃通孔深度提供150/200/230um等多种选项，以适应复杂电路要求。芯片表面布线可选择3/5/10/15um等多种铜厚度，确保电路性能。特别地，N77/79类IPD滤波器实现了行业领先的≤1.5dB带内插损，展现了其卓越的信号处理能力。这些特性使IPD无源集成器件成为高性能电子应用的理想选择。
云天半导体已与多家客户合作开发了无源滤波器、高性能电感、电容等器件，多个器件测试结果满足客户需求，目前已具备量产能力，多个产品上量生产中，并广泛应用于Tie1客户的5G射频收发模组，批量出货，2024年出货超数千万颗，国内企业市占率达90%以上。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性（50%）
2、技术或产品的主要性能和指标（30%）
3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）
