1.北方华创“半导体工艺腔室及其控制方法”专利公布
2.三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权
3.铭普光磁：“一种环抱式箱体”获发明专利证书
4.杰华特“一种开关电源控制电路和方法及开关电源”专利公布
5.中茵微电子“一种多输入LDO电源系统中的均衡控制电路及其运行方法”专利公布
1.北方华创“半导体工艺腔室及其控制方法”专利公布
天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“半导体工艺腔室及其控制方法”专利公布，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118866735A。
本申请公开一种半导体工艺腔室及其控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、第一抽气组件和气体净化组件，所述腔室本体设有第一通气孔和第二通气孔，所述第一抽气组件的第一端与所述第一通气孔相连通，所述气体净化组件的第一端与所述第二通气孔相连通，所述第一通气孔可通过所述第一抽气组件和所述气体净化组件与所述二通气孔相连通。该方案能够解决目前刻蚀工艺过程中含卤素的气体容易腐蚀气路管道的问题。
2.三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权
天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司近日取得一项名为“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”的专利，授权公告号为CN221918322U，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2023年11月30日。
本申请公开了一种碳化硅复合籽晶及晶体生长装置，该碳化硅复合籽晶包括中间部和边缘部。边缘部连接于中间部的周向侧壁上，且沿中间部的周向环绕中间部设置；其中，中间部设置为偏轴籽晶，边缘部至少部分设置为正轴籽晶。上述，小平面区域为偏轴籽晶，籽晶表面的台阶能充当模板，使籽晶多型体在升华生长法中能得到复制，降低了小平面产生晶型转变问题的可能性。在非小平面区域即在碳化硅复合籽晶较边缘的区域具有正轴籽晶来生长碳化硅晶体。正轴籽晶台阶密度较小，改善了碳化硅复合籽晶边缘的非小平面区域台阶束聚集问题。使得非小平面区域不容易产生堆垛层错，通过上述碳化硅复合籽晶生长碳化硅晶体，能减少碳化硅晶体的缺陷。
3.铭普光磁：“一种环抱式箱体”获发明专利证书
12月13日，铭普光磁发布公告称，公司于近日取得一项中华人民共和国国家知识产权局颁发的发明专利证书。发明名称为“种环抱式箱体”，专利号为ZL201810130341.9。
公告显示，本发明公开了一种环抱式箱体，包括机箱，机箱包括主箱体，主箱体内设有容置腔，主箱体的第一侧面上开设有连通容置腔的开口，开口处连接有箱门；主箱体的第二侧面上开设有贯通主箱体的顶面和底面的主箱体沟槽；机箱还包括同轴定位单元，同轴定位单元包括同轴固定件，同轴固定件可拆卸连接主箱体，同轴固定件上开设有若干个固定件螺纹通孔，各固定件螺纹通孔分别螺纹连接一固定件调节螺栓，固定件调节螺栓伸入主箱体沟槽内。本发明提供的环抱式箱体可以环抱电线杆等固定杆设置，通过同轴固定单元将环抱式箱体进行固定，不仅固定牢固，不易发生偏移，且适用于不同直径的固定杆，通用性强。
铭普光磁表示，上述发明专利的取得不会对公司生产经营造成重大影响，但有利于充分发挥公司自主知识产权优势，完善知识产权保护体系，对公司开拓市场及推广产品产生积极的影响，形成持续创新机制，提升公司核心竞争力。
4.杰华特“一种开关电源控制电路和方法及开关电源”专利公布
天眼查显示，杰华特微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种开关电源控制电路和方法及开关电源”的专利，授权公告号为CN109120139B，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2018年9月28日。
本发明公开了一种开关电源控制电路和方法及开关电源，开关电源控制电路根据主开关管的开通时间和辅开关管的续流时间，得到第一比例，所述第一比例为检测主开关管的开通时间比主开关管的开通时间和辅开关管的续流时间之和；根据第一比例和相应参考值，调节开关电源的输出电流，从而控制开关电源输出电压为预设电压。本发明在控制开关电源输出电压恒定的同时，电路简单、外围器件较少、不需要采样输出电压且输出电压设置灵活，在隔离式开关电源中不需要光耦等外围电路，即可实现隔离式开关电源原副边的信息传输。
5.中茵微电子“一种多输入LDO电源系统中的均衡控制电路及其运行方法”专利公布
天眼查显示，中茵微电子（南京）有限公司“一种多输入LDO电源系统中的均衡控制电路及其运行方法”专利公布，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118860052A。
本发明的目的是提供一种多输入LDO电源系统中的均衡控制电路及其运行方法，该电路包括：多个输入电压均衡调整模块和比较模块；所述输入电压均衡调整模块与所示比较模块和LDO连接，用于对输入电压进行调整；所述比较模块用于比较所述电压均衡模块输出的电压大小。本发明采用新型的控制设计，实现不同输入电压的自动电压高低检测和自动均衡控制。保证在多路电源工作的情况下，每一路电源电压都能均衡供电，避免局部电压供电电流太大，局部产生过热影响芯片的安全可靠性。
