1、荣耀“减震结构和可折叠设备”专利公布
2、宁德新能源“二次电池及其封装方法、封头”专利公布
3、士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
4、捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
5、派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
1、荣耀“减震结构和可折叠设备”专利公布
天眼查显示，荣耀终端有限公司“减震结构和可折叠设备”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118963489A。
本申请提供一种减震结构和可折叠设备，涉及终端设备技术领域。该可折叠设备包括第一折叠体、第二折叠体和转轴机构。转轴机构包括第一转动件和第二转动件，第一转动件与第一折叠体相对固定，第二转动件与所述第一转动件可相对转动，第二转动件与所述第二折叠体之间通过减震结构固定连接。根据本申请的可折叠设备，通过减震结构能够快速吸收外部作用力使第一折叠体晃动时产生的动能，并将动能转化为内能耗散，使第一折叠体快速稳定下来。
2、宁德新能源“二次电池及其封装方法、封头”专利公布
天眼查显示，宁德新能源科技有限公司“二次电池及其封装方法、封头”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118970301A。
本申请公开了一种二次电池及其封装方法、封头，包括包装袋和电极组件，包装袋包括主体部以及封装主体部的封边部，电极组件设置于主体部内，封边部包括与主体部连接的第一封边，沿第一封边的厚度方向，第一封边包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有若干第一凹陷部，第一凹陷部朝第二表面凹陷。本申请的二次电池及其封装方法、封头，可提高二次电池的封装强度，降低二次电池的漏液风险，并且可提高二次电池的热压封装效率以及热压封装效果。
3、士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”的专利，授权公告号为CN109639151B，授权公告日为2024年11月15日，申请日为2019年1月21日。
本申请公开了一种用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法。所述LLC谐振变换器包括采用自激振荡方式工作的第一双极型晶体管和第二双极型晶体管，所述恒流控制电路包括：开关元件，用于短接所述第一双极型晶体管和所述第二双极型晶体管至少之一的驱动电流；以及驱动模块，包括输出电流计算模块，用于计算谐振电流信号和第一变压器励磁电流信号的差值的绝对值的平均值作为补偿信号，以及根据补偿信号控制所述开关元件的导通状态，以实现恒流控制。在将电荷泵PFC模块与LLC谐振变换组合应用构成的复杂电路中，该恒流控制电路仍然可以提高恒流控制精度。
4、捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
天眼查显示，江苏捷捷微电子股份有限公司“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969825A。
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法。它包括第一导电类型的半导体衬底。所述半导体衬底的正面有元胞区。其特点是，所述半导体衬底的背面与集电极结构间有过渡区。所述过渡区包括依次覆盖在半导体衬底背面的电场缓变层和场截止层，所述集电极结构覆盖在场截止层的背面。所述电场缓变层为第一导电类型的变掺杂层，所述场截止层为第一导电类型的重掺杂层。采用该IGBT结构可避免后续电场抬高导致的器件失效的情况。
5、派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
天眼查显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司“基于S参数的数据处理方法、装置及电子设备”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969603A。
本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底，其包括：1）准备相同尺寸的多晶碳化硅晶圆和单晶碳化硅衬底片；2）将单晶碳化硅衬底片进行氢注入，将氢离子注入到单晶碳化硅衬底片表面下并形成氢注入层；3）将单晶碳化硅衬底片形成氢注入层的一侧与多晶碳化硅晶圆进行键合并形成晶圆体；4）将步骤3）中得到的晶圆体沿氢注入层剥离单晶碳化硅衬底片。本申请由于使用基板是多晶碳化硅晶圆，单晶碳化硅衬底片层只有几微米，大大降低了成本；同时多晶也不会产生翘曲；此外，多晶电导率要远高于单晶，可以不用减薄。
