南京大学/苏州实验室王欣然教授、李涛涛副教授团队与合作者通过稀土原子对蓝宝石衬底表面修饰，在国际上率先突破6英寸二维过渡金属硫族化合物半导体（以下简称二维半导体）单晶量产化制备技术。相关成果以“Robust epitaxy of single-crystal transition-metal dichalcogenides on lanthanum-passivated sapphire”为题，发表于Science期刊。
研究背景
二维半导体具有原子级厚度，能有效降低晶体管功耗，实现三维
南京大学/苏州实验室王欣然教授、李涛涛副教授团队与合作者通过稀土原子对蓝宝石衬底表面修饰，在国际上率先突破6英寸二维过渡金属硫族化合物半导体（以下简称二维半导体）单晶量产化制备技术。相关成果以“Robust epitaxy of single-crystal transition-metal dichalcogenides on lanthanum-passivated sapphire”为题，发表于Science期刊。
研究背景
二维半导体具有原子级厚度，能有效降低晶体管功耗，实现三维