凌锐半导体:SiC MOS栅氧长期可靠性 作者: 爱集微 2025-10-31 相关舆情 AI解读 生成海报 来源:凌锐半导体 #SiC MOS# #栅氧寿命# #TDDB# #E-模型# 评论 收藏 点赞 3.6w 责编: 爱集微 来源:凌锐半导体 #SiC MOS# #栅氧寿命# #TDDB# #E-模型# 收藏 点赞 分享至: 微信扫一扫分享 THE END 相关推荐 芯联动力获“2024中国汽车芯片创新成果”荣誉 极具成果创新性!瑶芯微SiC MOSFET产品获“国际先进”的高度评价 瑞玛精密使用9000万元闲置募集资金进行现金管理,预计年化收益率1.4%-1.85% 2025年中国集成电路产量4843亿块,同比增长10.9% 华映科技:30.29亿元合同纠纷案进入强制执行阶段 金安国纪拟募资不超12.99亿元,用于扩产及研发中心建设 +关注 爱集微 微信: 邮箱:laoyaoba@gmail.com 12.5w文章总数 12012.5w总浏览量 最近发布 美国法院做出正式裁决,驳回三星对中兴的诉讼 40分钟前 看好成熟制程需求回温,世界先进Q1产能利用率拼80%以上 2小时前 奔驰中国下调入门车型官方售价,最高降6.8万元 2小时前 汽车大战:日本帝国面临中国车蚕食鲸吞 2小时前 存储器出现杂音!DRAM现货价近半年首见走弱 问题在“成本红线” 2小时前 获取更多内容 最新资讯 【两会“芯”观察】重庆:芯联12英寸特色工艺生产线等被点名 6分钟前 事关汽车数据出境,工信部等八部门联合发布安全指引 17分钟前 预亏超125亿元,康佳触发退市风险警示 18分钟前 华勤技术:公司有望在2026年实现营收与利润双提升 28分钟前 营收利润双增,全球化提速 甬矽电子锚定先进封装谋新局 10小时前 广立微:EDA国产化已迈入“系统竞争力”构建关键期 11小时前