当前，存储产业已迈入一个“超级周期”。这不仅仅是短期的供需波动，而是一次由技术范式、产品结构与市场需求共同重塑的深刻产业变革。从旧世代存储器的需求被系统性重估，到未来两年确定性的供需缺口，再到下一代存储技术的加速演进，整个产业链正站在一个价值重估与格局重构的关键节点。
爱集微VIP频道近日汇集并上线了来自摩根士丹利、富邦投顾等机构的系列深度产业报告，《旧世代存储器：人工智能驱动持续需求》、《旧世代存储器超级周期短期内难逆转》、《2026年存储器产业展望》等报告，围绕超级周期的内在韧性、2026年确定性格局等提供系统、权威的趋势解读。
核心发现：被低估的旧世代存储器与确定性的供需缺口
一、DDR4：被市场低估的“隐形支柱”
根据摩根士丹利报告分析，DDR4的重要性被市场低估，其应用场景覆盖GPU服务器、CPU服务器、存储服务器等，且数据中心交换机、eSSD及部分HDD均需DDR4作为缓存内存。2025年，HDD和eSSD合计约占全球DDR4需求的7%，预计这一份额在2026年将显著增长。受结构性需求推动，DDR4合约价和现货价均有较大上涨空间，其中16Gb DDR4渠道库存几乎为零，进一步支撑现货价格上行。
其需求具备强韧性：部分场景因硬件限制（如14nm/22nm SoC内存控制器不支持DDR5）难以向DDR5迁移，且迁移过程存在系统稳定性与兼容性风险。同时，DRAM在终端设备BOM成本中占比极低（例如HDD中缓存DRAM占比仅为低个位数百分比），价格上涨对终端需求影响有限，进一步支撑其需求刚性。
报告进一步指出，内存行业周期通常持续4-6个季度，当前仅处于周期启动后约两个季度，仍处于上行阶段。受AI大趋势驱动，DDR4结构性供应短缺为行业前所未有的局面，DDR4正面临结构性供应短缺，16Gb DDR4渠道库存已近于零，合约价与现货价均具备可观的上涨空间，且这一上行周期预计仍将持续。
二、2026：供需缺口贯穿全年，AI驱动结构性增长
富邦投顾报告聚焦2026年全球存储器产业，核心结论指出供不应求的格局将贯穿全年。AI技术从训练向推理、代理阶段演进，驱动存储器需求将迎来结构性爆发。
具体预测显示，DRAM领域单季供给缺口最高可达约11%，而NAND领域供给短缺上看6%。这种短缺被视为结构性现象，预计需待2027年新一代技术（如HBF高带宽闪存）实现量产后才能得到有效缓解。
三、技术前瞻：HBF开启NAND与AI运算整合新篇章
三星缩减MLC NAND产能导致全球供给减少超20%，2026年第一季度MLC NAND价格或出现环比两位数增长。NOR Flash在2026年仍将有3%-5%的供给缺口。鉴于2026年CPU/GPU服务器需求增长以及2027年TWS耳机需求前景，该缺口可能持续至2027年，从而支撑NOR Flash价格在整个2026年保持上涨趋势。
NAND领域正孕育着重要技术革新——HBF（高带宽闪存）。富邦投顾报告揭示了两大主流技术路线：SanDisk阵营采用HBM+HBF混合设计，以兼顾容量与效能，满足 AI 模型训练的高吞吐量需求；三星/铠侠阵营则基于SCM（存储级存储器）如 XL-Flash、Z-NAND，提供高性价比方案。
预计2026年下半年HBF将进入工程样品阶段，2027年正式量产。其中，铠侠计划推出支持PCIe 7.0的HBF SSD，其读取速度较传统SSD有望实现百倍提升，这将推动NAND从单纯存储介质向与AI运算深度整合的方向升级。
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