英特尔本周四发表的文章详细介绍了其EMIB（嵌入式多芯片互连桥）封装技术的优势，并将其与业界普遍采用的2.5D封装方案进行对比。公司强调，EMIB在成本、设计复杂度和系统灵活性方面表现更优，更适合支撑下一代高性能芯片的扩展。
目前行业主流的2.5D封装方案依赖一整块硅中介层和硅通孔（TSV）来实现芯粒间的互连。英特尔指出，这种方案不仅因为使用大面积的硅中介层而推高成本，TSV工艺还可能影响整体良率，同时在芯片尺寸和芯粒组合方式上也缺乏灵活性，限制了异构设计的自由度。
相比之下，EMIB技术通过将微小的硅桥直接嵌入封装基板，仅在需要连接的芯粒下方进行精准互连，从而免去了整块硅中介层。这种方式不仅降低了材料与制造成本，也使得芯片布局更加灵活，更易于实现不同制程、不同功能的芯粒之间的异构集成。
该技术已发展出两种主要形态：一是用于逻辑芯片间或逻辑芯片与HBM内存连接的EMIB 2.5D，自2017年起已实现量产；二是与Foveros 3D封装结合的EMIB 3.5D，可用于构建极复杂的异构系统，例如集成了47个芯粒的数据中心GPU Max系列芯片。英特尔总结EMIB的核心优势在于保持正常封装良率的同时，能够显著节约成本，并简化设计流程。
随着英特尔持续推进其代工业务和先进制程节点，EMIB及相关先进封装技术已成为其关键的技术竞争力。这些技术不仅用于其自研产品，也将向代工客户开放，预计将在高端芯片制造领域进一步加剧与台积电等厂商的竞争。
