据2026年半年度报告透露，盛美上海2026年上半年经营业绩稳步增长，核心驱动力来自半导体设备本土化加速及AI算力需求爆发带动的行业扩产周期，公司凭借差异化技术优势把握市场机遇，订单储备充足，同时产品平台化布局持续推进，技术水平和市场认可度不断提升，为收入增长提供了有力支撑。
收入规模稳步增长，多产品线市占率位居前列
财报数据显示，公司2026年上半年实现营业收入37.18亿元，同比增长13.87%；归属于上市公司股东的净利润达9.89亿元，同比增长42.14%；扣除非经常性损益后的净利润为5.71亿元，同比下降15.31%，主要受股份支付费用减少、对外投资收益增加及非经常性损益变动影响。值得关注的是，公司核心产品线市场表现突出：半导体清洗设备全球市场占有率达8.3%，位居全球第四，国内市场国产清洗设备份额达60.5%，仅低于日本DNS公司；半导体电镀设备全球市场占有率达9.6%，位列全球第二，ECP设备2000电镀腔已完成交付，实现前道铜互连、后道晶圆级封装、3D堆叠、化合物半导体电镀技术全领域覆盖；首台PECVD SiCN设备顺利出机，采用自研世界首台三工位旋转沉积架构，可满足IC工艺后段及先进封装晶圆级键合应用的严苛工艺需求。
从区域营收来看，中国大陆地区收入占比达98.32%，是公司核心收入来源；中国大陆外地区收入占比为1.68%，主要覆盖北美、新加坡、韩国等海外市场，上半年先进封装设备已进入海外头部客户供应链，海外市场拓展取得阶段性突破。
按产品应用划分，前道半导体工艺设备为核心收入来源，包括清洗设备、电镀设备、立式炉管、涂胶显影Track设备、PECVD设备、无应力抛光设备等，累计占比超过80%；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备、硅材料衬底制造工艺设备等新兴产品线收入占比持续提升，其中面向2.5D/3D封装的湿法设备、面板级负压清洗设备、水平电镀设备均已获得批量订单，成功切入先进封装和大硅片制造领域，满足了客户多样化工艺需求。
多品类技术突破，差异化优势凸显核心竞争力
作为国内领先的半导体设备供应商，公司聚焦半导体湿法工艺、电镀工艺、薄膜沉积工艺等核心技术领域，构建了覆盖晶圆制造、先进封装、硅片制造全流程的平台化产品布局，凭借原始创新的差异化技术路线，突破海外巨头技术垄断，多款核心产品性能达到国际领先水平，是公司持续抢占市场份额的核心支撑。
清洗设备领域，公司打造了覆盖全工艺场景的清洗设备矩阵，其中SAPS兆声波清洗技术通过控制兆声波发生器与晶圆的半波长相位运动，实现晶圆表面兆声波能量均匀度误差控制在2%以内，解决了传统兆声清洗受晶圆翘曲影响的行业难题，适配逻辑28nm、DRAM 19nm、3D NAND等高端制程工艺，已获得国内外多家客户批量订单；TEBO兆声波清洗技术通过时序能激气穴震荡机制，将气泡振荡控制在稳定空化状态，避免图形结构损伤，可满足28nm及以下工艺图形晶圆无损清洗需求，已应用于FinFET、DRAM、3D NAND等3D结构器件工艺；单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备创新性融合槽式和单片清洗技术优势，硫酸消耗量较传统单片设备降低75%，同时26nm颗粒控制水平达到单片SPM设备同等标准，已在多家头部逻辑、存储客户产线验证通过，实现降本与高性能的双重突破；高温SPM清洗设备采用全球独有的专利喷嘴设计，26nm颗粒控制小于10颗、平均小于5颗，19nm颗粒控制小于10颗，15nm颗粒控制小于15颗，颗粒性能优于当前市场主流方案，被认为是单片高温硫酸清洗市场十余年来的重要里程碑，2026年上半年已获得多家客户批量订单。
电镀设备领域，公司已实现前道、先进封装、化合物半导体等多场景全覆盖。前道铜互连电镀设备采用多阳极局部电镀技术，可实现超薄籽晶层无空穴填充，薄膜均匀性优于国际竞争对手，已覆盖逻辑、存储、功率、化合物半导体等多领域，确立本土12英寸铜互连电镀设备龙头地位；先进封装电镀设备独创第二阳极电场控制技术，解决晶圆平边/缺口区域膜厚均匀性问题，可实现2μm超细RDL线电镀及铜、镍、锡、银、金等多金属镀层，针对CoWoS工艺的大铜柱（TIV）电镀解决方案已获客户广泛认可，市场份额显著提升；面板级先进封装水平电镀设备采用全球独家水平电镀技术，支持510×515mm、600×600mm等面板尺寸，大铜柱（CoWoS-L）、micro pad（Cu-Ni-Au）工艺性能全面优于垂直电镀设备，已通过国内大量产客户产线验证，2025年曾获国际3D InCites协会“Technology Enablement Award”奖项。
新兴产品领域，公司技术突破同样显著：立式炉管系列设备已进入多家国内晶圆制造厂，实现低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉等多品类量产，等离子体增强原子层沉积炉管已通过初步验证；前道涂胶显影Ultra Lith™ Track设备采用垂直交叉式架构，支持i-line、KrF、ArF等主流光刻工艺，首台高产能KrF工艺设备已于2025年9月交付国内头部逻辑晶圆制造厂；PECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，薄膜均匀性、应力控制、颗粒性能表现优异，首台SiCN工艺设备已交付国内头部逻辑大厂进入工艺验证阶段；面板级负压清洗设备可实现20μm bump pitch产品助焊剂高效清洗，2025年获《Global SMT&Packaging》全球技术大奖，已在国内大客户量产并获得海外头部客户订单。
产能与出货方面，公司“盛美半导体设备研发与制造中心”已投入使用，生产效能与规模显著提升，构建了国际一流研发环境与创新生态，为订单交付提供坚实保障。报告期内公司生产制造缺陷率持续下降，设备交付按时率保持较高水准，物料成本控制等指标达到预期水平，同时通过零部件多元化及本土化策略提升供应链柔性，可更好地应对国际供应链波动风险。
盈利水平稳中有升，长期技术创新战略清晰
盈利水平方面，公司2026年上半年主营业务毛利率为45.61%，整体保持平稳态势。报告期内净利润增速显著高于收入增速，主要源于对外投资公允价值变动损益和投资收益大幅增加、主营业务收入增长及股份支付费用减少。公司后续盈利增长将持续受益于高端工艺产品的研发突破与市场化进程，高附加值产品占比提升将进一步优化整体毛利水平。
业绩展望方面，公司管理层透露，当前订单储备充足，2026年将力争实现清洗设备种类全覆盖、工艺全覆盖，先进封装设备持续拓展全球市场，同时推进立式炉管、涂胶显影、PECVD等新研发产品的客户端验证与量产导入。随着全球AI算力需求持续爆发，下游晶圆厂、先进封装厂扩产节奏加快，公司作为本土半导体设备龙头，将充分受益于半导体设备本土化替代红利，业绩增长确定性较强。
长期发展战略上，公司坚持差异化国际竞争和原始创新发展路径，持续加大研发投入，2026年上半年研发投入达6.63亿元，占营业收入比例为17.82%，同比提升1.15个百分点。截至2026年6月30日，公司及控股子公司累计申请专利达2633项，已获授权专利646项，其中发明专利640项，境外授权专利401项，境外与境内授权专利比例高达1.5:1，知识产权护城河优势显著。未来公司将持续聚焦核心技术攻关，推进产品平台化布局，逐步实现半导体制造全流程工艺设备覆盖，致力于成为具有全球竞争力的综合性半导体设备供应商。
