（文/Oliver），1月3日，据韩媒Business Korea报道，三星电子已经成功开发了业界首个3nm制程，预计将于2022年开启大规模量产。
报道称，与三星电子的5nm工艺相比，3nm制程能将芯片尺寸缩小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
在3nm节点，三星用GAA MCFET（多桥通道FET）工艺取代了之前的FinFET工艺。根据最新消息，三星的3nm工艺整体表现要高于预期水平。
按照去年的说法，与7LPP工艺相比，三星原本预估3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。而现在是将3nm同5nm进行对比，各方面表现又略有提升。据悉，三星的5nm FinFET工艺与7LPP相比，将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%。
值得一提的是，三星一直被诟病的晶体管密度仍然未被提及。作为GAA技术的领头羊，三星究竟能否借由3nm工艺翻盘，还需要时间来证明。
反观竞争对手台积电，该公司也已经在规划3nm制程量产，其位于南科的3nm厂环评已于去年顺利通过，落脚在新竹的3nm研发厂房环评也顺利通过初审，等到环评大会确认结论后，预计可顺利赶上量产时程。
日前，台积电创始人张忠谋在谈到三星时表示，三星是很厉害的对手，目前台积电暂时占据优势，但仅仅只是赢了一两场战役，整个战争还没有结束。（校对/Vivian）
