1.15.76亿！中微公司宣布收购杭州众硅64.69%股权；
2.消息称韩国芯片制造商氦气库存可维持到6月；
3.三星代工力争2030年前推出1nm芯片，引入“fork sheet”新结构；
4.三星西安厂已量产第八代236层NAND闪存；
5.10.5亿美元！三星 SDI计划向Stellantis合资电池公司提供贷款；
6.印度批准超7.5亿美元电子元件制造项目，含稀土永磁体生产
1.15.76亿！中微公司宣布收购杭州众硅64.69%股权
3月30日，中微公司发布公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买杭州众芯硅、宁容海川、临安众芯硅、临安众硅、杭州芯匠、杭州众诚芯等41名交易对方合计持有的杭州众硅64.69%股权，此次交易对价约15.76亿元。同时，中微公司募集配套资金不超15亿元，用于高端半导体设备产业化项目、高端半导体设备研发中心项目、支付现金对价及中介机构费用、补充流动资金。
公告显示，杭州众硅的主营业务为化学机械平坦化抛光（CMP）设备的研发、生产及销售，属于湿法工艺核心设备，并为客户提供CMP设备的整体解决方案，是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。
通过本次交易，中微公司将成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺能力的厂商，成功实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，上市公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速上市公司在主流产线的规模化渗透。
据了解，中微公司主营业务为高端半导体设备的研发、生产和销售，向下游集成电路、LED 外延片、先进封装、MEMS 等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和 MOCVD 设备、提供配件及服务，在等离子体刻蚀与薄膜沉积等干法设备领域已具备国际领先的技术实力。上市公司核心产品覆盖高能/低能等离子体刻蚀（CCP、ICP）、MOCVD、LPCVD、ALD 及 EPI 等关键工艺设备。
2.消息称韩国芯片制造商氦气库存可维持到6月
据报道，两位消息人士表示，韩国的氦气库存至少可以维持到6月。与此同时，韩国产业通商资源部长排除了上半年供应中断的可能性，从而缓解了市场对伊朗战争可能影响芯片制造关键气体——氦气供应的担忧。
氦气是天然气加工的副产品，在美国和以色列对伊朗发动战争后，由于卡塔尔的天然气加工活动受到干扰，氦气价格大幅上涨。
一位韩国政府官员透露，韩国拥有三星电子等芯片制造商，其氦气库存足以应对上半年的需求。
这位官员还表示，这些公司正在支付溢价以确保库存，主要来自最大的氦气生产国美国。他补充说：“撇开价格不谈，确保库存是目前的首要任务。”
另一位来自三星氦气供应商的消息人士称，三星电子等芯片制造商拥有足够四到六个月使用的氦气库存。他还补充说，该供应商从美国和卡塔尔采购氦气，这可以缓解卡塔尔供应中断的影响。
据悉，卡塔尔的氦气产量占全球近三分之一，仅次于美国，位居第二。伊朗对卡塔尔天然气设施的袭击迫使卡塔尔能源公司向客户宣布不可抗力。
3.三星代工力争2030年前推出1nm芯片，引入“fork sheet”新结构
三星电子晶圆代工业务部门已设定目标，计划在2030年前推出1nm工艺。1nm技术被誉为“梦想半导体”工艺，它采用一种全新的方法排列计算单元，每个计算单元的大小相当于五个原子。此举旨在与台积电展开全面技术竞争，并巩固其在下一代半导体市场的领先地位。三星电子还决定在其现有的尖端2nm技术基础上开发各种工艺，以赢得重要客户。
据业内人士透露，三星电子晶圆代工业务部门已制定计划，力争在2030年前完成1nm半导体工艺的研发，并将其投入量产。1nm技术被视为一项“梦想创新工艺”，这意味着半导体芯片中负责数据处理的元件宽度理论上可以缩小到1nm。
除了元件小型化之外，1nm工艺还将引入“fork sheet”（叉片）新结构。在2nm工艺之前，元件采用环栅（GAA）技术制造。这项技术通过将电流路径从传统的三边扩展到四边，最大限度地提高了功率效率。
“fork sheet”技术旨在最大限度地缩短GAA元件之间的距离。它通过在GAA元件之间构建电绝缘壁，就像插入叉子一样。这意味着可以在相同的芯片面积内放置更多元件。
三星电子的晶圆代工业务在全球市场排名第二，与市场份额接近70%的台积电相比，差距甚大。众所周知，目前占据市场主导地位的台积电也计划在2030年后将“fork sheet”技术引入1nm工艺。业界认为，三星电子通过制定2030年前实现1nm工艺的路线图，已做好与台积电展开同等技术竞争的准备。
自2019年发布“2030年成为系统半导体第一”愿景以来，三星电子一直致力于在先进工艺方面追赶台积电。2019年，三星电子率先在全球推出7nm极紫外（EUV）光刻工艺；2022年，又率先在全球3nm工艺中采用GAA元件。
业内人士表示：“虽然三星电子在销售额或产量方面超越台积电并非易事，但它在技术方面持续保持竞争力。”他补充道：“2025年三星与特斯拉签订的价值165亿美元（约合25万亿韩元）的2nm人工智能（AI）芯片供应合同，正是其技术实力取得卓越成就的绝佳例证。”
三星电子的晶圆代工业务部门目前正在对其先进的2nm技术进行多项改进。该公司正在开发“SF2T”定制工艺，用于特斯拉2nm AI6芯片的量产。这款芯片将于2027年起在三星泰勒新晶圆代工厂投产。
三星还在加速开发新的2nm工艺，例如“SF2P”工艺，该工艺将从今年开始用于三星电子系统LSI事业部生产新型智能手机应用处理器（AP）；以及“SF2P+”工艺，该工艺将于明年投入运营。半导体行业人士表示：“由于2nm工艺的良率已超过60%，生产效率不断提高，人们对今年实现盈利的预期也越来越高。”
4.三星西安厂已量产第八代236层NAND闪存
三星电子已在其位于中国西安的工厂开始量产第八代236层NAND闪存（V8），这标志着该公司向更高层数存储器转型迈出关键一步，以满足人工智能（AI）应用日益增长的需求。
三星已使用236层产品取代原有的第六代128层NAND闪存（V6），并正在逐步提高产量。此次转型反映了老一代NAND产品被逐步淘汰。
通过堆叠存储单元实现更高的层数，可以提高存储密度和效率。三星此前一直在西安工厂生产128层NAND闪存，但随着市场对旧产品的需求疲软，该公司开始向新技术转型。
三星计划在2026年之前完成西安第二工厂向第九代286层NAND闪存（V9）的过渡，并开始全面量产。该公司还在其韩国工厂准备生产400层以上的下一代NAND闪存（V10）技术。
据G-enews援引监管文件和行业数据报道，三星2025年在西安NAND闪存生产线投资4654亿韩元（约合3.2亿美元），较上年增长67.5%。该工厂的产能约占三星NAND闪存总产量的40%，也是其唯一的海外NAND闪存生产基地。
业内人士表示，供应趋紧，一些估计表明DRAM和NAND闪存的计划产量已基本售罄。瑞银预测，在AI相关需求的推动下，到2026年，全球半导体市场规模可能超过1万亿美元。
三星加速转型也反映了地缘政治和供应链方面的制约因素。业内人士表示，美国收紧对中国先进半导体设备出口的限制，使得将尖端设备引入中国变得更加复杂。
尽管三星拥有“认证最终用户”（VEU）资格，在设备出货方面享有一定的灵活性，但现在必须每年重新获得审批，这增加了运营的不确定性。
与此同时，用于AI基础设施的企业级固态硬盘（SSD）需求持续增长，推动了对更高性能NAND闪存的需求。
5.10.5亿美元！三星 SDI计划向Stellantis合资电池公司提供贷款
三星SDI表示，计划向其与Stellantis合资的电池公司StarPlus Energy提供1.6万亿韩元（约合10.5亿美元）的贷款。
该公司在一份监管文件中表示，这笔贷款将用于资本投资。
上个月，有报道称，由于Stellantis缩减了其电动汽车计划，该公司正寻求退出与三星SDI在美国的电池合资企业。此前，Stellantis宣布减记超过265亿美元的资产，导致其股价暴跌，传统汽车制造商因误判清洁能源转型而付出代价。
6.印度批准超7.5亿美元电子元件制造项目，含稀土永磁体生产
印度电子和信息技术部表示，该国已批准29家公司提交的电子元件制造项目提案，总投资额达710.4亿卢比（约合7.5121亿美元）。
印度已推出一系列激励计划，旨在吸引全球和国内投资者，扩大本地制造能力，降低进口依赖，并加强供应链，以提升其电子制造业水平。
截至2025年3月，印度电子制造业产值达1250亿美元。印度政府希望到2031财年将这一数字提高到5000亿美元。
根据该部发布的声明，这些提案涵盖手机制造、电信、消费电子、汽车和硬件产品等领域。
印度迪克森科技公司（Dixon Technologies）旗下的一家子公司获准生产显示模块，而Lohum Cleantech清洁技术公司则获得了稀土永磁体的生产许可。
声明称，Lohum Cleantech的项目是印度首个利用稀土氧化物生产稀土永磁体的项目。
此前报道称，印度政府正计划推出新的激励措施，以促进本地手机生产。此前，针对这一新兴行业的旗舰项目将于3月到期。此举预计将提振苹果和三星等公司的发展。
