英特尔先进封装大跃进，业界盛传，英特尔先进封装后段良率已提升至90%以上，虽和台积电仍有段距离，但已达可稳定量产水平，英特尔近期开始向一线芯片厂兜售自家先进封装产能，抢单台积电。
对于相关传闻，英特尔、台积电至昨（3）日截稿前，没有进一步评论。
业界分析，先前一线半导体大厂因AI需求爆增而拉升先进封装配套产能需求，导致台积电先进封装如CoWoS订单塞车至2028年之后。英特尔加入战局，可望缓解当下先进封装后段制程排队队伍持续拉长的状况，至于前段制程仍多由台积电一手操刀，并搭配自身先进制程产能。
供应链消息传出，台积电积极扩充先进封装产能，但短期仍供不应求，客户因而多管齐下寻找解方。过往英伟达也因台积电CoWoS产能吃紧，在CoWoS前段验证联电硅中介层（Silicon Interposer）供货，后段方面积极验证非台积的CoWoS供应链。
另外，美系封测大厂安靠及日月光集团旗下硅品则负责后段WoS封装，如今英特尔后段先进封装良率大增，可望缓解后段产能吃紧，导致前段不顺的状况。
英特尔投入半导体封装已超过50年，2017年跨入先进封装领域，推出EMIB 2.5D封装方案，目前还有Foveros-S 2.5D方案，适合用户端应用，以及EMIB 3.5D方案，适合需要将多个3D模块整合到一个封装的应用。还有Foveros Direct 3D方案，适合用户端与资料中心应用。
其中，EMIB 2.5D方案，使用非常小的硅桥搭配多层布线，来取代其他方案使用的大面积硅中介层，并支持高频宽存储器（HBM）整合，标榜最适合当前的AI应用。
根据英特尔释出的资料，预计今年可达到八至十倍光罩复合体尺寸，以较低成本提供最高密度的运算能力。在EMIB 2.5D方案中，又区分为EMIB-M版本，在硅桥中使用了MIM电容，可强化电力供输，而EMIB-T版本则加入硅穿孔（TSV）技术，支持从其他封装技术转换设计，可满足未来HBM需求。
