北京大学集成电路学院研究团队荣获VLSI最佳学生论文

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2026年6月14日至6月18日,VLSI 2026(Symposium on VLSI Technology and Circuits)在美国夏威夷召开。在本届大会举行的VLSI 2025最佳学生论文奖(Best Student Paper Award)的颁奖仪式上,北京大学集成电路学院团队斩获此项殊荣,这是VLSI大会自1981年创办45年以来,中国大陆的首个最佳学生论文奖。

颁奖现场和获奖证书

团队针对边缘端图像传感器的数据量急剧增加引起在端侧设备高效完成数据处理的迫切需求,在传感器底层器件和感算架构方面都提出了新的解决方案。在底层器件方面,该工作创新地提出基于FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)单晶体管像素单元设计,利用FDSOI结构的阱进行感光和背栅调节效应进行放大读出,使传统APS像元电路从3T或者4T简化到了1T,同时实现了5×105 A/W 的超高感光灵敏度。在感算架构方案,利用器件光电输出信号受栅源电压调控特性实现了像素内的计算,突破了像素单元计算电路侵占像元面积限制。基于此,团队设计并成功研制出分辨率为128×128的图像传感器原型芯片,实现了具备超过1000帧每秒的特征提取能力,并在实验中展示了其在图像传感器内原位压缩的功能。该工作成果未来有望广泛应用端侧智能图像传感器,包括具身智能的视觉感知和自动驾驶,从源头上提升数据获取的质量。

图2 芯片显微镜照片和成像压缩功能展示

该工作以《First Demonstration of 1T FDSOI-based >1000fps Image Sensor with In-pixel Computing》为题发表并荣获VLSI 2025最佳学生论文奖(Best Student Paper Award),北京大学集成电路学院唐楠和于贵海同学为第一作者,通讯作者是周正和黄鹏。同时,该项工作也得到了史澳,李柯汛,李嘉琦,杨昊璋,肖逸,吴联梁同学的技术支持,以及刘力锋,刘晓彦和康晋锋三位老师的指导。

会议背景:

VLSI是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一,是展现IC技术最新成果的重要窗口。该会议在国际集成电路/半导体器件的学术界以及工业界均享有很高的学术地位和广泛影响,会议文章不仅需要学术上的创新,更需要体现成果的产业价值和技术前沿性。每年英特尔(Intel)、美光(Micron)、三星(Samsung)、IMEC和台积电(TSMC)等国际知名半导体公司都在该会议上发布各自最新研究进展。

最佳学生论文,由VLSI技术评审委员会评审决定,每年全球分别在Technology和Circuit领域各颁发一篇。

责编: 集小微
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