8月11日，源杰科技发布公告称，公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目，投资总额约为42.68亿元人民币（含土地出让金，最终以实际投资金额为准）。该事项已获公司第二届董事会第三十一次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。
公告显示，项目拟选址于陕西省西咸新区沣西新城，土地面积约126亩，用地性质为工业用地，使用年限为50年。项目建设内容包括激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地，旨在突破公司现有产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模，推动高端产品规模化生产和产业化应用，进一步提升公司产品交付能力和市场竞争力。
项目聚焦高速激光器芯片领域，把握数据中心市场发展的机遇，契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。公司表示，依托IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础，通过产能扩充与工艺优化，将持续响应市场需求变化，提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。项目建成后，将有助于形成稳定的高端激光器芯片规模化供应能力，增强订单交付的稳定性与响应速度。
资金来源方面，项目投资拟以公司自有资金及自筹资金投入，不涉及募集资金。
