总投资约12亿元,光谷高端微电子器件产业园开建

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9月30日,光谷高端微电子器件产业园项目在武汉东湖新技术开发区左岭街道开工建设。项目规划总用地面积约68亩,总建筑面积约7.2万平方米,总投资约12亿元。该项目聚焦高端微电子芯片产业载体建设,通过对园区现有两栋厂房实施升级改造,同步新建标准化生产厂房、动力站房、专用化学品库等基础配套设施,并预留大宗气站发展用地。

据悉,园区建成后将择优引进优质微电子领域头部企业入驻投产,可全面适配高成长性半导体核心赛道企业产业化、规模化生产需求。相关核心芯片产品可广泛应用于消费电子、汽车电子、高端工业装备、医疗器械、物联网感知等重点领域,助力区域实现智能传感核心芯片国产化、规模化量产,有效补强半导体产业链关键环节,为光谷半导体产业高质量扩容、本地产业提档升级注入强劲动能。

责编: 张轶群
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