当AI算力集群的规模从万卡迈向十万卡，服务器之间的数据洪流必须以光的速度传输——承担光电转换的激光器芯片与探测器芯片，即光芯片，由此成为整个算力基础设施中最紧缺的环节之一。光芯片是光器件与光模块的核心、光通信产业链中技术壁垒最高的环节，在800G及以上高端光模块中价值占比升至50%—70%，且随速率升级持续上行。
供给端的紧张程度罕见：头部厂商Lumentum披露InP光芯片供需缺口达25%—30%，更上游的InP衬底价格一年内上涨约两倍，海外龙头订单已排至2027—2028年。与此同时，800G规模放量、1.6T量产落地、硅光渗透率首次突破50%——技术代际切换与供给紧缺相互叠加，光芯片行业正站上有史以来最强的景气周期。
近日，集微咨询（JW Insights）正式发布《2026年光芯片行业研究报告》（以下简称《报告》）。《报告》从产品体系、技术路线与产业链结构切入，沿市场规模、竞争格局、上游瓶颈与国产机遇四条主线层层展开，对硅光主流化、CPO商用与InP供需缺口三大关键变量作出量化研判，为光芯片厂商、光模块企业与投资机构提供决策参考。
以下是《报告》内容精选：
市场空间：五年近四倍，2031年剑指150亿美元
据LightCounting数据，2025年全球光芯片市场规模约40亿美元（2024年为35.0亿美元），受AI数据中心800G/1.6T光互连拉动，预计2031年将增至约150亿美元、复合增速约25%；届时全球光收发器、有源光缆、NPO与CPO合计销售额将接近800亿美元。中国市场同步扩容，规模已由2020年的93.5亿元增至2024年的151.6亿元，2025年预计达159.1亿元。
技术路线上，InP基激光器芯片仍是最大细分市场，2025年占全球光芯片市场约58%；硅光芯片已占约三分之一，2026年基于硅光的光模块销售额占比将首次超过50%，2031年硅光份额预计升至42%。分场景看，2026年800G EML市场约8.6亿美元、1.6T EML约7.7亿美元，CPO配套激光器市场将由2026年约0.3亿美元激增至2030年约32.7亿美元。
图1：全球光芯片市场规模（2020—2025E，亿美元）
图2：中国光芯片市场规模（2020—2025E，亿元）
需求引擎：云厂商资本开支与谷歌采购的量级跃迁
AI数据中心是光芯片需求的主引擎。北美四大云厂商资本开支2024年合计约2283亿美元，2025年预计3626亿美元，2026年预计达4767亿美元；作为全球最大光芯片采购方，谷歌的采购量预计由2026年约2亿颗增至2028年的6亿—8亿颗。GPU与光模块的配比亦随组网层级提升——英伟达H100对800G光模块配比约1:3、B300约1:4.5，云厂商自研ASIC放量进一步放大需求。
图3：北美四大云厂商资本开支（2022—2026E，亿美元）
产品端，2025年全球800G光模块出货量达1800万—1990万只、同比接近翻倍，2026年预计增至约3800万只；单通道200G的1.6T DR8产品已进入量产阶段，2026年需求预期突破2500万只。数据中心交换芯片容量由51.2Tb/s向102.4Tb/s演进，为更高速率光模块提供持续牵引，电信市场的FTTx与骨干网则以DFB、EML及PLC/AWG等成熟产品构成平稳基本盘。
竞争格局：美日主导高端EML，中国份额加速提升
高端环节集中度极高：Lumentum、Coherent、博通三家合计占全球EML市场70%以上份额，前五大厂商2024年市占率达75.92%，北美、欧洲、日本合计占据全球90%以上产能。Lumentum为全球EML芯片市占率第一，200G EML份额超50%、良率超90%、订单已排至2027—2028年；Coherent市占率约15%—20%，为全球首个实现6英寸InP量产的厂商；住友电工则以约43%的份额主导全球InP衬底。
中国力量正在改写份额曲线：Lumentum与Coherent在中国大陆的合计份额已由2023年的51.2%降至2025年的38.7%，中国厂商全球光芯片出货量占比同期升至29.8%。国产化呈鲜明梯度——2.5G及以下国产化率稳定在98%以上，25G及以上由2023年的31.7%提升至2025年的54.3%，而25G以上（不含25G）高速产品仅约4%，是国产替代的攻坚方向。竞争焦点已从实验室性能指标转向大规模交付能力、良率水平与成本控制。
图4：全球光芯片市场技术路线份额变化（2025年vs 2031E）
图5：中国光芯片分速率国产化率（2025年）
上游瓶颈：InP衬底缺口超七成，扩产远水难解近渴
InP衬底是全产业链供需矛盾最尖锐的环节。2025年全球需求约210万片（2英寸当量），有效产能仅60万—70万片、缺口超70%；价格自2025年初约800美元/片涨至2026年4月的2300—2500美元/片，急单现货价突破3000美元，6英寸高端衬底自1400美元涨至5000美元、涨幅超250%。供给格局高度集中：住友电工（约43%）、AXT（约35%）与日本JX金属（约13%）掌控全球超90%产能。
图6：全球InP衬底市场竞争格局（2025年）
海外龙头已启动扩产但周期漫长：住友电工拟投资约180亿日元将InP衬底产能提升至3.1倍，JX金属计划投入最高1200亿日元将产能提升7—10倍，但InP衬底扩产周期长达3—5年，叠加MOCVD设备交付周期1—2年，新增产能最早于2027年后才逐步释放。国产短板集中于6英寸高端衬底（国产化率不足5%）与外延、光刻设备，但突破口已经出现：九峰山实验室依托国产MOCVD开发出6英寸InP基外延工艺，有望将国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%—70%；中国掌握全球约70%的精炼铟产量，并已将铟、磷化铟相关物项列入出口管制清单，资源话语权构成博弈筹码。
国产机遇：CW光源率先突围，量产梯队加速成形
供需失衡为国产厂商打开罕见窗口：Lumentum与Coherent订单分别排至2027—2028年与2028年，海外产能优先保障战略客户。与EML相比，CW光源无需集成调制功能、工艺链条更短、良率更易爬坡，叠加硅光渗透率突破50%直接放大CW需求，成为国产切入主流供应链的先导方向——仕佳光子已覆盖75mW—1000mW全功率段，源杰科技率先突破300mW高功率CW，鼎芯光电70mW CW实现批量出货。
100G EML是替代弹性最大的单品，源杰科技、长光华芯、仕佳光子、鼎芯光电、索尔思已形成量产梯队：源杰科技100G EML国内市占率约15%、EML良率突破85%接近海外一流，200G EML进入头部厂商供应链并通过英伟达认证；长光华芯100G EML批量交付、2026年一季度EML良率突破40%；扩产同步提速，光迅科技投资67.5亿元建设高端光电子基地，源杰科技二期投资12.51亿元，仕佳光子拟投约12.65亿元。产业趋势上，2026年是硅光与1.6T元年，2027年CPO蓄力、2028年3.2T放量，速率翻倍周期已从约3年缩短至约2年——在总量增长、硅光结构性机会与国产替代三重逻辑共振下，具备良率、产能与衬底锁定能力的国内厂商将优先兑现业绩弹性。
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