芯科技消息（文／罗伊）集邦科技存储器储存研究表示，紫光集团于8月27日宣布与重庆市政府签署合作协议，并在重庆投资DRAM研发中心与工厂，厂房预定2019年底动工，并于2021年完工。这显示出在福建晋华遭到美国禁售之后，以及在中美贸易摩擦影响下，中国大陆加速自主开发DRAM产品的进程。
紫光集团已于6月30日公告成立DRAM事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长，CEO则由高启全担任，更加确立中国大陆自主开发半导体的发展方向。
集邦推估，紫光DRAM事业群首先要面对的挑战将是相关制程技术的开发。当时的福建晋华，姑且不论美国的禁售，先前在技术上已与联电密切合作，让制程与产品都按照原订计划进行；合肥长鑫也与奇梦达有技术互相授权，有助产品开发。
紫光集团方面，旗下IC设计公司紫光国微具有DRAM相关产品的研发实力，但制程开发上至今仍未有合作对象，未来如果以自主开发的方向进行，至少需要3-5年的研发时间，代表就算2021年工厂完工甚至进入小批量投片，然达到一定的经济规模仍需要更长的时间。
紫光集团目前较为欠缺的制程研发能力，预计可望藉由其CEO高启全的业界人脉进行补强，而高启全在紫光的5年任期即将在明年届满，是否会对紫光的DRAM发展产生影响，也须持续关注。
集邦说，紫光集团并非首次计划进军DRAM产业，早在2014年就曾表达出研发DRAM的决心，但当时为了平衡产业与地方发展，且紫光已经确定NAND发展路线，后续DRAM的开发计划因而停摆。此次回归，主要是因福建晋华去年11月遭美国颁布禁售令后，量产与未来研发之路不确定性因素高，加上合肥长鑫虽预计今年底导入量产，但整体放量最快也要2020年底。
综合上述，对中国大陆而言，仅有1家DRAM厂不足以实现自主开发目标，尤其又面临中美贸易摩擦等大环境因素，因此让紫光集团重新出线进行DRAM的开发与生产。（校对/小山）
图片来源：紫光官网
