超芯星国内首台套HTCVD碳化硅单晶生长设备研制成功

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超芯星官方消息显示,近日,江苏超芯星半导体有限公司(简称“超芯星”)国内首台套HTCVD碳化硅(SiC)单晶生长设备研制成功。


超芯星成立于2019年4月,是一家第三代半导体研发商,致力于6-8英寸碳化硅衬底的研发与产业化。公司拥有国内外高层次人才,曾在海外深耕碳化硅单晶衬底制备20年,技术方面具有核心竞争优势,已实现6英寸碳化硅单晶衬底生产。

据了解,超芯星还完成多轮融资,其中,种子轮由个人天使投资人严宗华完成,天使轮由同创伟业和磊梅瑞斯完成。今年9月,超芯星还宣布完成A轮融资,投资方为南京扬子区块链股权投资基金。(校对/Value)

责编: 韩秀荣
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