中欣晶圆“利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法”专利获授权

集微网消息，国家知识产权局消息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司“利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法”专利获授权，授权公告日为7月16日。该专利申请号为2019104904366，授权公告号为CN110335835B。

图片来源：国知局

专利摘要显示，本发明提供一种利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法，在硅片面的中央部和外周部分别使用不同的水流进行清洗，使用4排喷嘴，2排硅片中央部清洗喷嘴集中清洗硅片的中央部区域，2排硅片外周部清洗喷嘴主要集中清洗硅片的边缘部，设置一定的时差按照同一流速针对每枚硅片的不同位置设置冲洗点。

两种喷嘴交替喷流，保证每个喷嘴可以按照同一流量供给药液，防止由于流量不足而导致槽内硅片之间的间隙流量不均衡或单枚硅片面内水流分布不均一，使该处的影响控制到最小化。使用不同的水流组合，使硅片的整面都可以充分得到清洗，减少颗粒数量。（校对/图图）