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“GaN”一件有意义的事,英诺赛科“All GaN方案”加速USB PD3.1应用

来源:爱集微

#英诺赛科#

2021-11-26

集微网消息,11月26日,在2021(秋季)USB PD&Type-C亚洲展上,英诺赛科展示了All GaN解决方案;与此同时,英诺赛科高级产品应用经理邹艳波发表了《高性能All GaN方案为USB PD 3.1 应用加速》的主题演讲,现场解析更多GaN市场价值及应用新动向!

英诺赛科高级产品应用经理邹艳波

“USB PD 3.1快充标准带来了更高的输出电压、更高的功率和功率密度。除了手机、平板、笔记本电脑外,还可以应用于显示器、相机、无人机、扫地机器人,电动工具以及电动自行车等多个场景。”邹艳波指出,“目前,英诺赛科的GaN器件已经实现全场景覆盖。”

不过,USB PD 3.1协议的推出对电源设计也提出了新的挑战。而采用氮化镓(GaN)制成的功率器件凭借其出色的效率及高速切换频率的优势,能完美应对电源设计中的难题。

为此,英诺赛科推出了从65W到240W全系列All GaN解决方案,让功率密度和效率进一步提升。针对All GaN方案,英诺赛科推出了150V GaN芯片,与目前市面上最高标准的150V Si MOS相比,性能提升2-3倍。

据邹艳波介绍,英诺赛科All GaN方案有以下三种:65W1C,140W 28V/5A和240W 48V/5A。

其中,基于150V GaN性能,在原方案上升级的65W All GaN方案,功率密度可达31W/in3。在90V交流电下效率为93.4%,在230V下效率达94.7%。

140W方案可支持28V/5A输出,采用无桥PFC+ACF架构,功率密度达30W/in3,大小与传统65W快充尺寸相当。

240W(PD3.1 48V5A)方案采用Totem pole无桥PFC+LLC设计,功率密度高达41W/in3,效率达96.5%,尺寸仅为一张银行卡大小。

邹艳波表示,在量产高低压氮化镓器件的基础上,英诺赛科也致力于做全链路高效、高频和高功率密度的方案,从前端电网侧,转到我们的充电器以及到手机内部,实现整个从端到端的解决方案,帮助大家提升能效。值得一提的是,在IDM模式助力下,英诺赛科每两代产品升级,可使单片晶圆的芯片数量增加2倍左右。

得益于丰富的InnoGaN系列产品线,英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进,当前出货量已突破4000万颗,已经被联想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic 等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用,并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。

对于未来发展,邹艳波表示,All GaN方案在绿色能源、数据中心能源、智能电动、直流楼宇等四大领域都将有广泛的应用机会。他指出,“英诺赛科在‘GaN’一件有意义的事情。如果用氮化镓去提升整个供电电路5%的效能,以全球每年电能消耗27万亿千瓦时来计算,可以实现10亿吨的碳减排。”

整体来看,作为全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业,英诺赛科正以其突飞猛进的销量表现引领全球第三代半导体的发展。随着英诺赛科苏州工厂的成功量产,英诺赛科也做好了全面拥抱氮化镓巅峰时代到来的准备。(校对/Arden)

责编: wenbiao

James

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微信:A-Jim17

邮箱:zhanxl@lunion.com.cn

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