国产三代半新突破，中科院成功制备8英寸碳化硅晶体

作者：李沛 2022-05-06

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集微网消息，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近50%。

近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。

中科院方面表示，该成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力。（校对/乐川）

责编：朱秩磊

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李沛

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