南亚科今(23)日举行12英寸新厂动工典礼,计划投资3000亿元新台币,目标2025年开始装机量产。
据台媒《中央社》报道,南亚科指出,新厂位于新北市泰山南林科学园区,规划分三阶段进行扩建,完成后月产能达4.5万片规模,将采用自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片。
据悉,南亚科总经理吴嘉昭曾表示,DRAM是所有电子产品智能化的关键元件,是半导体产业极为重要的一环,所以投资兴建先进晶圆厂,让南亚科不仅成为中国台湾的DRAM领导者,更是全球关键存储器供应商。
(校对/Sharon)
南亚科今(23)日举行12英寸新厂动工典礼,计划投资3000亿元新台币,目标2025年开始装机量产。
据台媒《中央社》报道,南亚科指出,新厂位于新北市泰山南林科学园区,规划分三阶段进行扩建,完成后月产能达4.5万片规模,将采用自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片。
据悉,南亚科总经理吴嘉昭曾表示,DRAM是所有电子产品智能化的关键元件,是半导体产业极为重要的一环,所以投资兴建先进晶圆厂,让南亚科不仅成为中国台湾的DRAM领导者,更是全球关键存储器供应商。
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