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浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功

来源:爱集微

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#碳化硅#

#SiC#

#衬底#

07-28 16:11

集微网消息,浙大杭州科创中心发布消息称,近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。

图片来源:浙江大学杭州国际科创中心

该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低。目前,国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸,但其厚度通常在~20-30 mm之间,导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。

50mm厚度的实现,一方面节约了昂贵的碳化硅籽晶的用量,另一方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量能够翻倍,所以能够大幅降低碳化硅衬底的成本。

浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院紧紧围绕国家重大战略需求和浙江省战略性新兴产业发展布局,目前已获批浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,研究院由杨德仁院士担任首席科学家,学术委员会主任由郑有炓院士担任,院长由盛况教授担任,整合浙江大学电气学院、材料学院、信电学院以及上下游相关企业力量,着力打造第三代半导体研发、制造、应用和测试评价全产业链的新格局。

2020年11月, 浙大杭州科创中心先进半导体研究院首炉碳化硅单晶成功“出炉”, 2021年4月,浙大杭州科创中心研制出首批碳化硅晶圆,标志着科创中心拥有了在碳化硅晶圆加工方面开展高水平研究的能力。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣

施旭颖

作者

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