【专利解密】京东方LTPO专利缩短屏幕边距

来源:爱集微 #专利解密#
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【爱集微点评】京东方的LTPO专利,通过CMOS的工艺,采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式,在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失以及异常显示的情况下,能够降低MOS管的数量,从而减少LTPO型移位寄存器电路的宽度,缩短屏幕边框。

近日,在世界移动通信大会(MWC 2023)上荣耀Magic5 Pro等系列的国际版发布,其采用了京东方LTPO等技术。

AMOLED显示器存在采用LTPS(Low Temperature Polysilicon,低温多晶硅)工艺时,漏电流会较大,从而导致在黑画面中出现亮点的问题,现有技术中采用LTPO(低温多晶硅及氧化物)工艺以降低漏电流,但LTPO工艺需要LTPO型移位寄存器提供控制栅极开关的信号,相关技术中的LTPO型移位寄存器电路由多个MOS管以及电容组成。但是相关技术中LTPO型移位寄存器电路中MOS管的数量较多,会导致屏幕边框较大的问题。

为此,京东方于2021年5月19日申请了一项名为“LTPO型移位寄存器电路及其驱动方法、显示面板”的发明专利(申请号:202110546404.0),申请人为京东方科技集团股份有限公司。

图1 LTPO型移位寄存器电路的示意图

图1为本专利提出的一种LTPO型移位寄存器电路的示意图,其中,STV、VGL、VGH分别表示行驱动时钟信号、关闭栅极的电压以及打开栅极的电压,而CK1至CK3则为三个时钟线路电压。在上述电路中,采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式,尽可能降低MOS管数量。

图2 LTPO型移位寄存器电路驱动时序示意图

图2为本专利提出的LTPO型移位寄存器电路驱动时序示意图,这里以几个含有跳变沿的时序周期为例进行说明。

T2时序周期中,STV为低电压信号,CK2为高电压信号,T1管子关闭,由于CK1电压信号出现高电压向低电压跳变,电容C1产生自举作用,将N4点为进一步拉低,N4点为低电压信号,T10管子完全打开,T3和T8管子打开,T2管子关闭,N1点为VGH高电压信号,T4管子关闭,CK1为低电压信号,T5、T6和T7管子打开,VGH高电压对电容C2充电,N2点为VGH的高电压信号,T9管子关闭,N3点的输出结果为L。

T3时序周期中,STV为高电压信号,CK2为低电压信号,T1管子打开,STV高电压信号给电容C1充电,N4点为高电压信号,T3、T8和T10管子关闭,T2管子打开,N1点为VGL低电压信号,T4管子打开,CK1为高电压信号,T5、T6和T7管子关闭,由于电容C2具有保持电压稳定的作用,N2点保持上一阶段的VGH高电压信号,T9管子关闭,N3点重复上一阶段的输出结果为L。

T6时序周期中,STV为低电压信号,CK2为高电压信号,T1管子关闭,由于CK1电压信号出现高电压向低电压跳变,电容C1产生自举作用,将N4点为进一步拉低,N4点为低电压信号,T10管子完全打开,T3和T8管子打开,T2管子关闭,N1点保持VGH高电压信号,T4管子关闭,CK1为低电压信号,T5、T6和T7管子打开,VGH高电压对电容C2充电,N2点为VGH的高电压信号,T9管子关闭,N3点的输出结果为L。

T7时序周期中,STV、CK2为低电压信号,T1管子打开,STV低电压信号给电容C1充电,N4点为低电压信号,T3、T8和T10管子打开,T2管子关闭,N1点为VGH高电压信号,T4管子关闭,CK1为高电压信号,T5、T6和T7管子关闭,由于电容C2具有保持电压稳定的作用,N2点保持上一阶段的VGH高电压信号,T9管子关闭,N3点的输出结果为L。

简而言之,京东方的LTPO专利,通过CMOS的工艺,采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式,在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失以及异常显示的情况下,能够降低MOS管的数量,从而减少LTPO型移位寄存器电路的宽度,缩短屏幕边框。

京东方作为全球领先的显示面板及解决方案提供商之一,在LTPO显示面板技术上不断进行创新和突破,持续推动显示技术的创新和发展,为如荣耀等用户提供更优质的产品与解决方案,助力客户再创辉煌。

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(校对/赵月)

责编: 李梅
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