5月18日,上海新微半导体有限公司(以下简称“新微半导体”)宣布,基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)6英寸/150mm晶圆的40V增强型(p-GaN)功率器件工艺平台开发完成,正式发布量产。
据悉,该工艺平台采用无金工艺,RC<0.4 Ω·mm;栅极采用自对准工艺,且最小线宽低至0.5µm;同时还采用(接触孔钨)钨栓、晶圆表面全局平坦化(CMP)等集成电路互联工艺,并支持Circuit-Under-Pad,可广泛用于手机、平板电脑和笔记本电脑等终端领域。目前已获得客户认可,导入多家客户设计。
此外,新微半导体将陆续推出100V、150V和650V等中、高压功率器件量产工艺。
新微半导体成立于2020年,位于上海市临港新片区,一期建筑面积60,000平方米,专注于射频、光电和功率三大化合物半导体的晶圆代工服务,产品广泛应用于通讯、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等众多终端应用领域;同时,还为客户提供设计支持与晶圆/芯片测试等增值服务。(校对/姜羽桐)