新微半导体“半导体器件及其制造方法”专利公布

作者：爱集微 15小时前

来源：爱集微 #新微半导体#

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天眼查显示，上海新微半导体有限公司“半导体器件及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969796A。

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底，包括耗尽型器件区和增强型器件区；第二栅极结构，形成于所述增强型器件区的基底上；钝化层，形成于所述耗尽型器件区和所述增强型器件区的所述基底上，所述钝化层覆盖所述第二栅极结构；第一栅极结构，形成于所述耗尽型器件区的所述钝化层上，所述第一栅极结构与所述基底之间的所述钝化层作为栅介质层；第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属，所述第一源极金属和所述第一漏极金属形成于所述第一栅极结构两侧的所述基底上，所述第二源极金属和所述第二漏极金属形成于所述第二栅极结构两侧的基底上。本发明的技术方案能够使得耗尽型器件和增强型器件集成。