天眼查显示，华中科技大学“提高老化3DNORFLASH芯片擦写速度的方法及系统”专利公布，申请公布日为6月9日，申请公布号为CN116246981A。
图源：天眼查
专利摘要显示，本发明提供了一种提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统，属于信息存储器领域，方法包括：当待测3D NOR FLASH芯片目标扇区处于正常工作状态时，根据预设程序对目标扇区循环依次进行写入、读取和擦除操作，每隔若干次循环次数，记录目标扇区当前写入和擦除的时长；基于目标扇区当前写入和擦除的时长，若判断待测3D NOR FLASH芯片的工作状态已达到老化阈值，则控制加热时长和温度，对待测3D NOR FLASH芯片进行加热操作，提升待测3D NOR FLASH芯片读写擦速度。
据悉，本发明解决了芯片老化后，擦写速度退化下降导致工作效率变低的问题。（校对/刘沁宇）
