美光7月26日宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片，是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。美光表示，24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。
美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款24GB芯片采用8层堆叠方式，未来将推出12层堆叠产品，容量可达36GB，预计2024年第一季度可以生产出样品。HBM3 Gen2芯片能效的提升，得益于美光先进的TSV硅通孔技术，以及高效的数据链路设计。这款芯片采用11mm×11mm封装形式，具有16条通道、高可靠性。产品支持2.5D、3D以及CoWoS封装形式，适用于AI芯片、HPC处理器等应用。
台积电目前已经收到美光HBM3 Gen2内存的样品，并与美光紧密合作进一步评估和测试，这有利于客户在下一代高性能计算应用方面的创新。
根据路线图，美光2025年将正式量产36GB HBM Gen2内存，2026年将推出36GB-64GB HBM产品，带宽可以提升至1.5~2TB/s。此外，2025年也将推出GDDR7 DRAM内存颗粒，容量16GB-24GB。
（校对/孙乐）
