东芯半导体已入选全球电子成就奖候选名单,助力东芯脱颖而出!

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全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者,对获奖公司以及个人来说,全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉,各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者,充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。

由 AspenCore 全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。

东芯半导体现已入选全球电子成就奖候选名单,

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年度杰出创新企业

东芯半导体是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司,产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费电子、工业等领域。

公司不断精进研发技术实力,开发新产品,加强品质与服务管理,开拓新市场与新应用,总体发展稳中有进。

年度存储器产品

25nm 1Gb LPDDR4X

为保证产品多样性发展,研发第四代低功耗DDR产品,实现LPDDR系列产品升级迭代。2022年推出的LPDDR4X的VDDQ低至0.6V,目前可实现25nm的工艺制程节点。

东芯,为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。

责编: 爱集微
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