天眼查显示，上海矽睿科技股份有限公司“芯片3D形貌制备方法”专利获授权，授权公告日为8月8日，授权公告号为CN112582533B。
图片来源：天眼查
专利摘要显示，本发明揭示了一种芯片3D形貌制备方法，所述方法包括：在基底上生长第一介质材料，形成第一介质材料层；在所述第一介质材料层上生长第二介质材料，形成第二介质材料层，所述第二介质材料层包括至少两个第二介质材料层单元；不同第二介质材料层单元具有设定间隔，形成设定间距的隔断；利用高密度等离子体边沉积边刻蚀的工艺特征形成具有设定坡度及高度的高密度等离子体层；在所述高密度等离子体层上生长氧化硅，形成氧化硅层。
据悉，本发明提出的芯片3D形貌制备方法，可制得的产品具有更好的斜坡面及坡度，提高产品的性能。（校对/刘沁宇）
