台积电积极布局2nm制程，新竹宝山厂规划于2024年第二季度移机，2025年第四季度量产，初期月产能约达3万片；高雄厂正在进行组织编制，预计2025年N2量产，并计划N2量产一年后量产N2P（2nm加强版）制程，并采用背面供电技术。

台积电2021年底宣布将在高雄建2座12英寸厂，产能规划为7nm及28nm制程，不过，台积电先前宣布暂缓7nm兴建。今年8月份台积电宣布高雄厂将导入最先进的2nm制程。

根据台积电先前法说会上透露，台积电在N2研发出背面配电线路（backside power rail）解决方案，此设计最适于HPC相关应用。在基线技术之上，背面线路将使速度提升10%至12%，逻辑密度提升10%至15%。台积电目标是在2025年下半年向客户推出背面配电线路，并于2026年量产，与供应链传言不谋而合。

台积电、三星、英特尔都在积极竞争GAAFET架构领导者位置，根据三星规划，2025年将大规模量产2nm，2027年量产1.4nm；英特尔采用Gate All Around（GAA）技术RibbonFET电晶体架构的Intel 20A预计2024年上半年进入预备量产，Intel 18A则会在2025年量产。

（校对/孙乐）