三星于10月21日举办“存储技术日”活动，正式推出HBM3E高带宽内存芯片“Shinebolt”，以及LPDDR5X CAMM2、大容量GDDR7显存、可拆卸式汽车用SSD等产品。

三星表示，当前云系统正不断发展，以优化计算资源，这需要高性能内存来处理海量数据，提供更大带宽。三星的HBM3E新产品名为Shinebolt，每引脚速度高达9.8Gbps，总带宽可达1.2TB/s。

为了实现更高层数的堆叠，以及改善散热能力，三星优化了不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层与层之间的间隙，并最大限度提高导热能力。三星表示，目前8层、12层HBM3产品正在量产，Shinebolt样品正在向客户发货。

目前，三星正在利用其第四代基于EUV光刻机的10nm制程（14nm）节点来制造24GB容量的HBM3芯片，此外8层、12层堆叠可在HBM3E上实现36GB的容量，比HBM3高出50%

此前SK海力士、美光均已宣布推出HBM3E芯片，皆可实现超过1TB/s的带宽。

三星同时宣布HBM4内存将采用更先进的芯片制造和封装技术，虽然HBM4的规格尚未确定，但有消息称业界正寻求使用2048位内存接口，并使用FinFET晶体管架构来降低功耗。三星希望升级晶圆级键合技术，从有凸块的方式专为无凸块直接键合。因此，HBM4的成本可能会更高。

在此次活动中，三星还展示了目前业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM，业界首款32Gb GDDR7芯片，以及PB容量级别的SSD固态硬盘（PBSSD）。

多种DRAM

为了推进设备小型化，以及支持边缘计算设备，三星展示了LPCAMM形态的内存模组，体积更小、可拆卸。与目前广泛使用的SO-DIMM相比，LPCAMM性能提高50%，面积缩小60%，能效提高70%。三星展示了业界首款7.5Gbps LPDDR5X CAMM21，官方称其有望真正改变下一代PC和笔记本电脑内存规则。此外，三星还展示了9.6Gbps LPDDR5X DRAM、专门用于人工智能的LLW（低延迟高I/O）DRAM产品。

大容量GDDR7显存

关于GDDR7显存，三星此前已经正式发布，其待机功耗要比GDDR6低50%，传输速度最高每引脚32Gbps，比GDDR6高33%；采用新型封装材料，热阻更低。三星此次展示的GDDR7显存芯片容量可达32Gb，能够带动未来显卡进一步提升显存容量、降低功耗；汽车专用的GDDR7，封装尺寸更紧凑。三星预计2024年率先出货GDDR7，不过具体时间尚未确定。

PB级SSD、车规SSD

随着自动驾驶解决方案的发展，对车规级大容量DRAM、共享式SSD的需求不断增长。三星展示了可拆卸的车规级AutoSSD，支持多个SoC芯片共同访问。该产品提供6500MB/s的顺序读取速度，以及高达4TB的容量。由于该产品可拆卸，因此便于后续升级和更换。

作为减少对环境影响承诺的一部分，三星强调在半导体业务中创新，帮助客户提高能源效率。三星展示了下一代下一代UFS闪存、用于PC的大容量QLC SSD BM9C1。该公司透露，很可能领先业界，率先推出PB级（约1000TB）容量的固态硬盘（PBSSD），该产品能够减少服务器能耗，最大限度提高空间利用效率。

（校对/赵月）