华邦电抢进先进封装市场,总经理陈沛铭昨(28)日指出,公司主要以Hybrid bond封装整合系统单芯片(SoC),结合自家生产的客制化AI DRAM产线,预期2024年将进入小量生产,2025年有把握进入量产阶段,
陈沛铭指出,华邦电规划进入先进封装市场,并会寻找哪一部分难度最高,不过封测厂进军的Micro Bond不会是华邦电锁定的市场,公司会朝向Hybrid Bond市场前进。
陈沛铭说,华邦电会提供自家研发的AI DRAM,结合客户自行采购的系统单芯片,再供应客户Hybrid Bond先进封装服务,他分析,目前各大存储器厂提供的高频宽存储器都是大容量,动辄32GB以上,但许多客户仅需要8G或16G相对较小容量的,加上客户又有先进封装需求,因此华邦电才会选择跨足此领域。
陈沛铭强调,Hybrid Bond先进封装难度高,在于直接用铜贴合逻辑运算芯片及存储器芯片,须掌握密度及热度,当前华邦电锁定间距9微米,若客户有需求也会提供20微米以上的服务。