半导体材料市场研究机构TECHCET最新数据显示，2024年CMP耗材市场预计将达35亿美元，高于去年预测的33亿美元，至2027年将进一步增长至42亿美元。这得益于全球晶圆厂的持续扩张，以及新器件技术不断变化的的需求，推动CMP工艺步骤持续增加。
TECHCET指出，CMP仍是制造超平坦、低缺陷和光滑晶圆表面的关键制程之一，先进制程需要越来越多的CMP步骤，例如DRAM制造需要高达13个，3XXL 3D NAND需要36个，环栅 (GAA) 逻辑器件需要41个CMP步骤等等。
目前行业内正在评估新的金属材料，例如钴、钌和钼，以取代钨和一些最小尺寸的铜互连。这些替代材料也将需要新的CMP耗材才能发挥作用。随着新金属互连方案的集成和推广，该细分CMP耗材市场的复合年增长率将超过50%，
此外，混合金属化、半镶嵌和零通孔结构的混合高度工艺正在开发中，以解决CMP集成挑战，埋入式电源轨(BPR)有助于改善互连性能，也因此使得DRAM制造需要额外的4~5个CMP步骤，对于GAA则需要额外的15个CMP步骤。
当前半导体设备制造商也继续寻找降低耗材成本的方法，在当前的市场环境下，高通胀和高度定制化意味着CMP耗材价格下降的可能性很小。（校对/武守哲）
