ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

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半导体设备大厂ASML秀出价值高达3.5亿欧元的High NA极紫外光(EUV)光刻机设备,除了英特尔率先取得设备之外,台积电及三星订购的新机器预计最快2026年陆续到位,届时High NA EUV机器可望成为全球三大晶圆制造厂抢进2纳米以下先进制程的必备武器。

媒体报道,ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备,一台要价3.5亿欧元,大小等同于一台双层巴士,重量更高达150公吨,相较于两架空中巴士A320客机,装机时间推估需要六个月,并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成,不仅价格高昂又相当耗时。

英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备,不过,英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产,不过,日前英特尔CEO基辛格(Pat Gelsinger)宣布,不会在18A制程采用High NA EUV量产,代表暂时延后採用High NA EUV光刻机设备。

至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上,脚步则慢于英特尔。业界指出,由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍,代表生产成本将大幅增加,由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加,成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。

业界人士推测,台积电预计最快在1.4纳米(A14)才导入High NA EUV光刻机台,代表2025年才可望有采购设备的消息传出,若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下,台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。

不过,可以确定的是,ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器,仅是大量采用的时间先后顺序差别。

事实上,进入7纳米以下后,台积电就开始导入EUV光刻机设备,原因在于光罩曝光层数大幅增加,在至少20层以上的重复光刻需求下,孔径重复对准的精准度要求愈来愈高,让EUV光刻机成为必备设备,不仅提高良率,也能降低生产成本。

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