半导体设备大厂ASML秀出价值高达3.5亿欧元的High NA极紫外光（EUV）光刻机设备，除了英特尔率先取得设备之外，台积电及三星订购的新机器预计最快2026年陆续到位，届时High NA EUV机器可望成为全球三大晶圆制造厂抢进2纳米以下先进制程的必备武器。
媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。
英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后採用High NA EUV光刻机设备。
至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。
业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。
不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。
事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。
