据天眼查信息显示，武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN113629036B，授权公告日为2024年02月27日，申请日为2021年8月6日。
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一晶圆，包括衬底和形成于所述衬底正面的器件层，所述器件层中形成有金属互连结构，所述衬底的背面形成有通孔，所述通孔贯穿所述衬底，所述衬底的背面和正面为相对的面；第一氧化物层、第一氮化物层和第二氧化物层，依次形成于所述通孔的内表面上，且所述通孔的底面形成有开口，所述开口暴露出所述金属互连结构；以及，金属层，填充于所述通孔和所述开口中，所述金属层与所述金属互连结构电连接。本发明的技术方案使得防止金属扩散以及抗电压击穿的能力得到提高，进而使得电学稳定性得到提高，且降低了生产成本。
