武汉新芯“背照式图像传感器及其制造方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，武汉新芯集成电路股份有限公司“背照式图像传感器及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832240A。

本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，所述背照式图像传感器包括衬底、刻蚀停止层和金属材料层和焊垫，衬底中形成有导电组件、导电柱和凹槽，导电柱填充在从凹槽底面穿通至导电组件的顶面的穿通孔中，并电性连接导电组件，刻蚀停止层和金属材料层依次覆盖在凹槽外围的衬底、导电柱以及凹槽的表面上，焊垫形成在所述凹槽中的金属材料层上且通过金属材料层以及刻蚀停止层与所述导电柱电性连接，由此利用刻蚀停止层来改善沉积的金属材料层表面的粗糙度，阻挡金属材料层中的金属向衬底中扩散，并在刻蚀金属材料层的工艺中保证刻蚀效果，避免刻蚀残留，进而提高图像传感器的最终性能。