昕原半导体“存储器制备方法及存储器”专利公布

集微网消息，天眼查显示，昕原半导体（上海）有限公司 “存储器制备方法及存储器”专利公布，申请公布日为2024年2月23日，申请公布号为CN117596894A 。

本发明提供一种存储器制备方法及存储器，其中的方法包括：在第一介质层上刻蚀金属槽，并在金属槽内填充第一金属；依次在第一介质层及第一金属上沉积第二介质层和三介质层；在第二介质层和第三介质层上设置孔洞，孔洞延伸至第一金属的上表面；同时，在第一介质层、第二介质层和第三介质层上设置OVL标识槽，OVL标识槽的深度自第三介质层延伸至第一介质层内；在孔洞和OVL标识槽内填充金属层；在金属层与OVL标识槽相对应的沟槽内填充第四介质层，并使第四介质层至少覆盖沟槽至与金属层齐平；对第四介质层、金属层及第三介质层进行研磨，直至孔洞的深度符合预设目标深度。利用上述发明能够确保OVL标识槽的微观外貌，提高存储器的制备精度。