昕原半导体“具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构”专利获授权

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天眼查显示,昕原半导体(上海)有限公司近日取得一项名为“一具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构”的专利,授权公告号为CN112309466B,授权公告日为2024年5月17日,申请日为2020年7月30日。

本发明涉及具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构。半导体设备包括存储设备,分别包括与控制晶体管串联的选择器晶体管和存储单元,其中该控制晶体管连接到该存储单元。半导体设备的控制线沿第一方向延伸,并且第一控制线连接到第一存储设备控制晶体管和第二存储设备控制晶体管。字线沿第一方向延伸,并且第一字线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。位线在第二方向上延伸,第一位线连接到第一存储设备存储单元,第二位线连接到第二存储设备存储单元。源极线在第二方向上延伸,并且第一源极线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。

责编: 赵碧莹
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