安储科技完成Pre-A轮融资，为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案

近日，张家港安储科技有限公司（以下简称“安储科技”）宣布已完成Pre-A轮融资，本轮融资由中科创星领投，天汇资本和张家港智慧创投跟投。资金将用于产能扩建与设备研发。

安储科技成立于2020年，专注于先进电子材料研发、生产和销售，主营产品为配方型功能电子化学品（如抛光液、清洗液， 湿法刻蚀液， 光刻胶剥离液等）以及电子特气安全存储负压钢瓶两大产品系列。

公司核心成员包括拥有国际知名材料企业多年研发、生产经验的博士和专业人才，具备多年先进制程节点以及各种材料表面的抛光、清洗经验，以成为中国领先的电子材料平台为愿景，致力于为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案以及更先进的电子材料。

碳化硅作为宽禁带半导体，适合高压、大电流的应用场景，近年来受到新能源汽车、光伏储能等行业影响，市场增速极快，国内碳化硅产业也在2021年～2022年得到迅速发展。但碳化硅衬底硬度高、脆性大，给抛光带来了极大难度。而抛光后因其晶圆和机台的清洗工艺流程更长，也提高了碳化硅晶圆的制造成本。因此，目前碳化硅衬底的抛光液和清洗液由国际厂商主导，在国内仍属新兴领域。

在碳化硅衬底抛光清洗上，安储科技拥有抛光液、抛光后晶圆清洗液、抛光后机台抛光垫清洗液全工艺环节耗材产品。与传统方案相比，安储科技的产品性能更加优异，成本更具竞争优势。

在碳化硅衬底抛光液方面，目前Fujimi、Ferro、卡博特（Cabot）、圣戈班（Saint-Gobain）等国际厂商占据全球大部分市场，这些厂商普遍采用氧化铝作为研磨颗粒。安储科技则创新性的采用了金属氧化物作为研磨颗粒，其ACTL-WS系列抛光液不仅拥有较高的抛光速率，同时可获得低表面粗糙度，低缺陷的晶圆表面。而且抛光液可以循环使用，降低客户使用成本。

抛光后的晶圆清洗液方面，晶圆表面残留的高锰酸钾、抛光粒子，碎屑等污染物，对碳化硅表面污染程度比硅更高。此外传统的RCA工艺清洗流程长，工艺要求高。安储科技的WK系列清洗液是专为上述场景设计的配方类清洗液，使用一步清洗，缩减了清洗工艺，清洗效果好，能有效的去除晶圆表面有机物以及颗粒等污染物。

另外，碳化硅衬底抛光后机台抛光垫清洗液方面，安储科技开发的PK系列抛光后机台抛光垫清洗液可以有效的清洗抛光后残留物，清洗性能优异，清洗时间短，并可稀释使用，降低客户成本。

基于多年的半导体材料开发经验，在硅基制程CMP后清洗方面安储科技也开发了一系列清洗产品。 半导体制程中化学机械抛光（CMP）后表面易产生研磨粒子，有机物，金属离子等缺陷。需要通过特殊的功能性化学清洗减少缺陷，提高良率，这是芯片生产中必须的步骤。安储科技开发了系列PCMP抛光后清洗， 产品覆盖130nm至5nm制程， 适用于不同材料抛光后的清洗， 比如铜， 钴， 钨以及氧化硅表面等。

在铜蚀刻液领域，韩国厂商占据主流地位，然而，他们的产品在保持锥角稳定和清洗残渣方面存在难题。安储科技开发的铜蚀刻液不含氟离子，环保安全，可精确控制对铜的蚀刻速率以及刻蚀角度，没有倒角，并且无残渣残留，产品拥有更长的使用寿命，在较高铜离子浓度下仍能保持优异的蚀刻性能。

在高端光刻胶剥离液领域，多以进口产品为主，其难点在于当光刻胶厚度更大的时候，传统光刻胶剥离液很难在其它接触材料没有损伤前提下，完全清除干净。安储科技高效低成本的配方型光阻剥离液能够有效清除各种光刻胶，同时不蚀刻或侵蚀其它暴露材料，不仅适用于先进半导体芯片，同时也适用于LCD、LED、平板显示。

在电子特气负压存储钢瓶领域，美国英特格（Entegris）占据了全球85%以上的市场份额，国内厂商相关产品大多自产自用。安储科技开发的电子特气负压存储钢瓶内装多孔材料，具有高比表面积，对磷烷（PH3）和砷烷（AsH3）三氟化硼（BF3），四氟化锗（GeF4）等电子特气有着很高的吸附能力，并且储存稳定安全，不会影响气体纯度，释放量高。经过测试，产品在各项性能指标方面已经完全达到了进口产品水平。

2024年3月20日~22日，安储科技将参展半导体产业盛会SEMICON CHINA2024。公司位于N2馆-2326，届时诚挚邀请各位莅临。