【公开】晶合集成浅沟槽隔离结构专利公开；紫光同芯防拆芯片专利公布；芯和半导体EDA模型数据单位切换方法及装置专利公布

1.晶合集成“浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法”专利公开

2.紫光同芯“防拆芯片和电子设备”专利公布

3.芯和半导体“一种EDA模型的数据单位切换方法及装置”专利公布

1.晶合集成“浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法”专利公开

集微网消息，近日国家知识产权局公开了合肥晶合集成电路股份有限公司申请的一项名“浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法“发明专利，公开号CN117747535A，申请日期为2024年2月。

根据专利摘要，本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法，利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备，在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后，注入一定浓度的B离子到AA corner，之后移除垫氮化层，在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区，根据设计对有源区进行源区、漏区、沟道和栅极制备，形成NMOS或者PMOS。

由于本发明提前在设计为NMOS区域四周的浅沟槽隔离结构内注入B离子，使得后续在该有源区制备阱区时，能够避免有源区AA与STI搭界处的B离子析出至STI中，导致NMOS的阈值电压Vt无法满足设计要求的问题。本发明改造成本低廉，修正阈值电压效果好，具体较大的实用价值。

2.紫光同芯“防拆芯片和电子设备”专利公布

集微网消息，天眼查显示，紫光同芯微电子有限公司“防拆芯片和电子设备”专利公布，申请公布日为2024年3月19日，申请公布号为CN117727698A。

本申请涉及半导体技术领域，公开一种防拆芯片，包括基板、晶片和防拆部件。基板，其正面设置有多个第一引脚；晶片，其上设置有防拆信号引脚，且晶片设置于基板正面；防拆部件，包括多根引线，多个第一引脚通过多根引线串联形成串联线路，且部分引线在晶片上方形成有防拆保护层；其中，串联线路的第一端用于供电，防拆信号引脚串联接入串联线路；或者，串联线路的第一端用于供电，串联线路的第二端引出至基板的边沿以便于引出至芯片外部，用于与外部防拆部件连接。这样，在芯片内部设置有相应的防拆结构，能进一步提高芯片的安全性。本申请还公开一种电子设备。

3.芯和半导体“一种EDA模型的数据单位切换方法及装置”专利公布

集微网消息，天眼查显示，芯和半导体科技(上海)股份有限公司“一种EDA模型的数据单位切换方法及装置”专利公布，申请公布日为2024年3月19日，申请公布号为CN117725875A。

本发明公开了一种EDA模型的数据单位切换方法以及装置，包括：获取EDA模型的初始数据单位以及当前数据单位；基于所述初始数据单位以及所述当前数据单位，确定全局换算因子；检测数据单位切换指令；如果所述数据单位切换指令为局部数据单位切换指令，确定所述局部数据单位切换指令的第一指令类别，并基于所述第一指令类别和所述全局换算因子进行数据单位切换；如果所述数据单位切换指令为全局数据单位切换指令，确定所述全局数据单位切换指令的第二指令类别，并基于所述第二指令类别和所述全局换算因子进行数据单位切换。可见，本发明能够实现全局单位和局部单位的修改，增加设计的灵活性和便捷性。