【诉讼】理想汽车遭投资者集体诉讼,焦点指向首款纯电车型MEGA;华虹宏力“半导体器件的制造方法”专利获授权

来源:爱集微 #专利#
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1、理想汽车遭投资者集体诉讼,焦点指向首款纯电车型MEGA

2、华虹宏力“半导体器件的制造方法”专利获授权

3、铨兴科技“一种晶圆翘曲形变测试设备”专利获授权

4、极海半导体“一种脉冲信号捕获电路、微处理芯片”专利公布

5、川土微“一种片内集成功率有源电感”专利获授权


1、理想汽车遭投资者集体诉讼,焦点指向首款纯电车型MEGA

5月15日,“国际律师”公众号发文称,理想汽车Li Auto Inc(NASDAQ: LI)因证券欺诈案已经于近日被投资者集体诉讼至法院。在目前的诉讼中投资者指控该公司及部分高管在本案诉讼期间进行虚假陈述,违反证券法令投资者受损。投资者向法院申请判令被告赔偿因其违法行为导致股价下跌给投资者造成的损失。

投资者指控理想在推出首款电池电动汽车车型MEGA时,夸大了市场对车辆的需求和运营策略的有效性;因此,该公司不太可能达到2024年第一季度的车辆交付量预期。

近日,市场消息称,理想汽车将进行新一轮人员优化,整体优化比例超过18%,2023年财报显示,理想汽车近3.16万人,按照优化比例来计算,这轮优化涉及超过5600人。市场分析称,首款纯电车型理想MEGA遭遇舆论风波订单量未及预期是影响因素之一。

另有消息称,理想汽车已将此前80万辆的全年交付目标调整为56万至64万辆。今年4月,理想汽车还宣布全系车型下调售价,总体降幅在1.8万至3万元不等。

2、华虹宏力“半导体器件的制造方法”专利获授权

天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“半导体器件的制造方法”的专利,授权公告号为CN113611745B,授权公告日为2024年5月14日,申请日为2021年7月30日。

本发明提供了一种半导体器件的制造方法,包括:提供衬底,衬底上依次形成有浮栅层和控制栅层;在浮栅层和控制栅层上形成暴露衬底的第一开口;在第一开口两侧分别形成第一字线结构和第二字线结构;在第一开口内形成第一光刻胶层,并延伸覆盖所述第一字线结构和第二字线结构,以扩大第一光刻胶层的工艺窗口;以所述第一光刻胶层为掩模刻蚀所述控制栅层和所述浮栅层,使所述第一字线结构和所述第二字线结构分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。本发明通过形成第一开口使第一光刻胶层覆盖第一字线结构、第二字线结构和第一开口,增大第一光刻胶层的图形面积,从而增大所述第一光刻胶层的工艺窗口,减少或避免漂胶,提高产品良率。

3、铨兴科技“一种晶圆翘曲形变测试设备”专利获授权

天眼查显示,深圳市铨兴科技有限公司近日取得一项名为“一种晶圆翘曲形变测试设备”的专利,授权公告号为CN117889773B,授权公告日为2024年5月14日,申请日为2024年3月15日。

本发明公开了一种晶圆翘曲形变测试设备,涉及晶圆翘曲度测试技术领域,现提出如下方案,包括外箱体和安装在外箱体内部的测量机构,所述测量机构包括接触测量组件和光栅测量组件;所述接触测量组件包括门板、接触测量室、第一电机、安装底座、双向螺杆、外套杆、连接横杆、前后滑块,装置在使用过程中,接触测量板通过顶部的滑轮带动在装置的内部前后平移,第二电机带动主动齿轮在装置的内部进行转动,然后主动齿轮同时驱动两个传动齿轮在装置的内部进行转动,然后传动齿轮带动滑轮在装置的内部转动,以此就能够调节接触测量板在装置内部的位置,就可以对安装底座上方的晶圆通过表面接触的方式计算表面的形变,从而计算晶圆的翘曲度值。

4、极海半导体“一种脉冲信号捕获电路、微处理芯片”专利公布

天眼查显示,珠海极海半导体有限公司“一种脉冲信号捕获电路、微处理芯片”专利公布,申请公布日为2024年5月14日,申请公布号为CN118041317A。

本申请实施例提供的一种脉冲信号捕获电路及微处理芯片,包括振荡延迟线,向时钟处理模块周期性提供第一时钟信号;捕获延迟线,包括m个捕获延迟元件,m个捕获延迟元件依次连接以沿信号路径在第一方向上传输第一接收信号,并沿信号路径在与第一方向相反的第二方向上传输第二接收信号;信号处理模块,接收输入信号并基于接收信号是否包含沿信号在第一方向向捕获延迟线输出第一接收信号;时钟处理模块,接收输入信号及振荡延迟线提供的第一时钟信号,并基于输入信号是否包含沿信号对第一时钟信号进行处理得到第二接收信号,并在第二方向向捕获延迟线输出第二接收信号。用以减小电路的占用面积及成本。

5、川土微“一种片内集成功率有源电感”专利获授权

天眼查显示,上海川土微电子有限公司近日取得一项名为“一种片内集成功率有源电感”的专利,授权公告号为CN113541640B,授权公告日为2024年5月14日,申请日为2021年7月22日。

本发明提供了一种片内集成功率有源电感,包括高侧有源电感和低侧有源电感;高侧有源电感包括第一级稳压环路和第二级稳压环路,第一级稳压环路中包括第一功率PMOS管,用于控制第一功率PMOS管实现等效有源电感,第二级稳压环路中包括第二功率PMOS管,用于控制第二功率PMOS管输出稳压;低侧有源电感包括第三级稳压环路和第四级稳压环路,第三级稳压环路中包括第一功率NMOS管,用于控制第一功率NMOS管实现等效有源电感,第四级稳压环路中包括第二功率NMOS管,用于控制第二功率NMOS管输出稳压。本发明的片内有源电感具有常规无缘电感的特性,可用于隔离交流信号并实现功率传输。



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