天眼查显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司“一种原子层刻蚀方法”专利公布，申请公布日为2024年5月14日，申请公布号为CN118039471A。
本发明涉及半导体器件领域，具体是一种原子层刻蚀方法。本发明提供了一种原子层刻蚀方法，包括：S1）将氯基气体进行等离子处理，使晶片的表层原子形成氯化层；S2）将含氮气体进行等离子处理，对步骤S1）所述晶片的氯化层进行刻蚀。本发明提供的方法能够降低晶片在原子层刻蚀时的晶格损伤和电学损伤。实验表明，采用现有的方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为51.4％；而采用本发明所述方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为47.8％；可以看出，经过氯基气体改性，含氮气体刻蚀后的样品表面产生的N空位更少，可以有效降低N空位带来的晶格损伤与电学损伤。
