据市调机构TrendForce估算，市场对HBM需求呈现高速增长，加上HBM利润高，故三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片，预计到今年底前，HBM将占先进制程比例为35%，其余则用以生产LPDDR5（x）与DDR5产品。
以HBM最新进展来看，TrendForce表示，今年HBM3e是市场主流，集中下半年出货。SK海力士仍是主要供应商，与美光均采用1β nm制程，两家厂商已出货英伟达；三星则采用1α nm制程，第二季度完成验证，年中交货。
除了HBM需求占比持续增加，PC、服务器、智能手机三大应用单机搭载容量增长，故先进制程消耗量逐季提升。英特尔Sapphire Rapids、AMD Genoa新平台量产后，存储规格仅能用DDR5，今年DDR5渗透率至年底将超过50%。
新厂方面，三星厂房2024年底产能大致满载，新厂房P4L计划2025年完工，Line 15厂区制程转换，1Y nm转至1β nm以上；SK海力士除了M16明年产能扩大，M15X亦规划2025年完工，年底量产；美光中国台湾厂区明年恢复满载，后续产能扩张以美国厂为主，Boise厂区2025年完工并陆续移机，2026年量产。
TrendForce指出，由于英伟达GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192/384GB，预期HBM产出将接近翻倍，且紧接各原厂将迎来HBM4研发，若投资没有明显扩大，在产能排挤效应之下，DRAM产品可能供应不足。
（校对/孙乐）
